《半導體》世界先進搶頭香 0.35微米高電壓氮化鎵製程量產

【時報記者林資傑台北報導】晶圓代工廠世界(5347)22日宣布，公司領先的8吋0.35微米650 V的新基底高電壓氮化鎵製程（GaN-on-QST）已於客戶端完成首批產品系統及可靠性驗證，正式進入量產，為特殊IC製造服務領域首家量產此技術的公司。

世界先進2018年以Qromis載板技術（簡稱QST）進行8吋QST載板的0.35微米650 V GaN-on-QST製程開發，於今年首季開發完成、第四季成功量產，同時已和海內外整合元件製造（IDM）廠及IC設計公司展開合作。

世界先進指出，相較以矽（Si）作為載板，QST載板有與氮化鎵磊晶層更匹配的熱膨脹係數（CTE），在製程中堆疊氮化鎵時能降低翹曲（warpage）破片，更利於實現量產。新特殊製程能與既有8吋矽晶圓機台設備在開發與生產上相互配合使用，以達最佳生產效率及良率。

根據客戶端的系統驗證結果，世界先進提供的氮化鎵晶圓在快充市場應用上，針對65W以上的快充產品，系統效率已達世界領先水準。同時，基於QST載板的良好散熱特性，在整體快充方案效能上，世界先進提供的氮化鎵晶圓擁有更優良的散熱表現。

世界先進營運長尉濟時表示，公司持續精進特殊IC製程技術，以提供客戶最具效益的完整解決方案及高附加價值的服務。世界先進的0.35微米650 V GaN-on-QST製程兼具效能及可靠性優勢，不僅提供客戶更優化的IC設計選擇，亦協助提升客戶產品競爭力。

世界先進0.35微米650 V GaN-on-QST製程除了650 V的元件選擇外，也提供內建靜電保護元件（ESD），客戶能更便利進行設計選擇。除了具備更優異的可靠性與信賴性，針對此製程超過1000 V的更高電壓擴充性，公司已與部分客戶展開合作，以滿足客戶產品需求。