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HBM排擠效應 DRAM漲勢可期
近期在智慧手機、PC、資料中心伺服器上，用於暫時儲存數據的DRAM價格漲勢停歇，買家拉貨不積極，影響DRAM報價漲勢。
業者期待，SK海力士、三星及美光前三大廠HBM產能增開，對一般型DRAM產生的排擠效應，加上產業旺季來臨，可帶動DRAM重啟漲勢。
據了解，6月指標性產品DDR4 8GB合約價約2.10美元、容量較小的4GB合約價1.62美元左右，表現持平，主要是供需雙方對價格談判，呈現拉鋸狀況。
而另一方面，三星新一代HBM3E，據傳有望通過輝達（NVIDIA）認證，輝達GB200將於2025年放量，其規格為HBM3E 192／384GB，在AI伺服器需求帶動下，預期HBM產出將接近翻倍，2025年HBM於全球DRAM產能占比將超過10％。
由於三星為DRAM產業龍頭，市占率高達42％，若其HBM3E通過輝達認證，產能大幅轉作HBM3E下，恐將使DDR4產能供給大幅減少，三星DDR3亦將於2024年底停產。
法人分析，三星主要以1a nm製程生產HBM3E、GDDR6、LPDDR5／5X、DDR5，並以1z nm生產HBM3、GDDR6、LPDDR5／5X、DDR4／5，後續放量時，1a nm製程生產的產品，將遭受產能排擠，隱含DDR5／LPDDR5系列產品為主要的受惠者。
法人認為，2024年以來，DRAM市場需求和產品漲幅順序，先後排序為HBM、DDR5、DDR4和DDR3。台廠南亞科、華邦電因主要生產DDR3和DDR4，故DRAM產業轉為漲價循環後，獲利改善幅度不如前三大廠。
但隨HBM排擠效益擴大，以及一般型應用需求回溫，DDR4和DDR3漲價循環可望延續，並致使兩廠2025年獲利有望大幅改善。
