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美光推高速DDR5 RDIMM記憶體 明年出貨、有望成為超微主要記憶體之一
美光宣布推出採用32Gb單片晶粒的 128GB DDR5 RDIMM記憶體，以高達 8,000 MT/s 1 的同類最佳效能支援當前和未來的資料中心工作負載，預計於 2024 年開始出貨，可應用於搭載 4,800MT/s、5,600 MT/s 和 6,400 MT/s 的平台，針對未來速度高達 8,000 MT/s 的平台也可適用。
透過 AI 驅動的智慧製造方式來實現世界級的創新，美光的 1β 技術製程節點創下史上最快的速度達成良率目標，進而鞏固美光的產業領導地位。
此款大容量高速記憶體模組專為滿足資料中心和雲端環境中各種關鍵應用的效能及資料處理需求所設計，包含人工智慧（AI）、記憶體資料庫（IMDBs）、高效處理多執行緒及多核心運算工作負載等。
採用美光領先業界的 1β（1-beta）技術，128GB DDR5 RDIMM 記憶體使用 32Gb DDR5 DRAM 晶粒，相比其他 3D 堆疊直通矽晶穿孔（TSV）產品，位元容量提高超過 45%，能源效率提升高達 24%，延遲大幅降低 16%，AI 訓練效能提升高達 28%。
美光副總裁暨運算產品事業群總經理 Praveen Vaidyanathan 表示，美光 128GB DDR5RDIMM 為資料中心專用的大容量、高速率記憶體開創了新的標準，可滿足日益增加的運算密集型工作負載所需的記憶體頻寬與容量，對此深以為傲。美光將透過讓客戶盡早取得美光先進技術，在頂尖大容量記憶體解決方案的設計與整合方面提供支援，進而改善整個資料中心生態系統。
超微伺服器業務部門高級副總裁兼總經理 Dan McNamara表示，最新第四代 AMD EPYC 處理器受益於美光 128GB RDIMM，這款記憶體採用了 32Gb 單片 DRAM ，可最佳化每顆核心的記憶體容量，進而為 AI、高效運算和虛擬化等業務關鍵型資料工作負載改善總擁有成本。隨著超微運用下一代 EPYC 處理器提升運算能力，美光 128GB RDIMM 很可能成為主要的記憶體選項之一，它可為每顆核心提供大容量和高頻寬，滿足記憶體密集型應用的需求。
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美光 32Gb DDR5 記憶體解決方案選用創新晶粒架構，提供領先陣列效率和最密集的單片 DRAM晶粒。電壓領域和更新管理功能有助於完善電源網路，進而改善能源效率。此外，美光也將晶粒尺寸的深寬比最佳化，藉此提升 32Gb 大容量 DRAM 晶粒的製造效率。
Yahoo財經特派記者 吳珍儀：身處數位原生世代，曾任職網路新聞編譯，現階段主攻科技新聞，期許將複雜資訊以更年輕、貼近生活的樣貌呈現給讀者。
