《科技》GaN崛起，漢磊、嘉晶卡位成功

【時報-台北電】5G、電動車等市場將可望在2020年進入高速成長階段，由於高功率電源需求興起，研調機構預期2020年GaN磊晶晶圓需求將可望挑戰年增5成水準，顯示氮化鎵（GaN）磊晶晶圓未來將開始進入爆發成長期。

法人表示，漢磊控股 （3707） 及轉投資矽晶圓廠嘉晶 （3016） 已經具備GaN磊晶晶圓搭配矽（Si）、碳化矽（SiC）等新世代高功率製程的生產能力，未來有機會搶下大筆5G基地台、電動車等新藍海訂單。

5G、電動車市場將可望在2020年進入高速成長市場，由於5G、電動車等新應用在用電需求上皆須達到高功率水準，因此將可望推動應用在高功率的GaN磊晶基板需求興起。

其中，5G基地台正是首要應用之一，研調機構資策會指出，以GaN磊晶作為基板搭配矽組成的矽基氮化鎵（GaN on Si）未來將可望被大幅應用在基地台的功率放大器（PA）；至於電動車市場由於需要具備承受瞬間高功率電流，因此對於以氮化鎵為基板的SiC材料亦相當注重。

根據資策會預估，進入2020年後，以氮化鎵為基板導入矽、SiC及氮化鎵等材料的晶圓需求，將可望達到6,435平方公尺，相較2019年將可望成長52.49％，市場規模更上看790億美元，年增幅超越兩成水準，因此未來GaN基板市場發展將可望備受市場期待。

事實上，目前國際IDM大廠都已經相繼投入GaN、SiC等功率半導體的技術研發，其中英飛凌（Infineon）、安森美（On Semiconductor）及意法半導體（ST）等大廠看好未來5G、高速運算資料中心及車用市場未來將可望朝向該領域發展，正在力拼逐步拉高產能。

據了解，目前漢磊及旗下嘉晶早在數年前就已經展開GaN及SiC的製程研發，目前已經具備GaN磊晶導入矽、SiC及GaN等製程的生產實力，可望在2019年下半年開始小量生產。法人看好，隨著5G、電動車等市場規模逐步擴大，漢磊及嘉晶將可望搶下國際IDM大廠及IC設計廠的訂單。(新聞來源：工商時報─蘇嘉維／台北報導)