日法將合作開發1奈米級新一代半導體技術

日本晶圓代工廠Rapidus宣布,將攜手東京大學與法國半導體研究機構Leti合作,共同開發1奈米新一代半導體設計的基礎技術。2024年將正式開展人才交流和技術共享,利用Leti的技術構建有利於提高自動駕駛和人工智慧(AI)性能的1奈米産品供應鏈。

《日經中文網》報導說,日本Rapidus正與美國IBM、比利時半導體研究開發機構imec進行合作,預計於2027年實現的2奈米産品進行量産。

此外,1奈米産品預計在2030年代以後普及,功率及運算性能將比2奈米產品高1~2成。1奈米産品目前在考慮尋求與IBM合作,這種日美歐跨國合作有利於新一代産品的穩定供應。

報導說,Rapidus、東京大學及理化學研究所等加入的研究機構「最尖端半導體技術中心(LSTC)」與Leti於10月簽訂了探討合作的備忘錄。

據瞭解,3方並將在2024年正式展開人才交流、技術共用,目標是運用Leti的半導體元件技術,建構提升自動駕駛、人工智慧(AI)不可或缺的1奈米晶片產品供應機制。

LSTC與Leti的目標是確立設計開發線寬為1.4奈米~1奈米的半導體所需要的基礎技術。1奈米産品需要不同於傳統的晶體管(元件)結構,Leti在該領域的成膜等關鍵技術上佔優,最尖端半導體技術中心將在試製品評估及人才派遣等方面進行合作。

報導指出,在2奈米晶片的量產上,Rapidus正和美國IBM、比利時半導體研發機構imec合作,且也考慮在1奈米等級產品上和IBM進行合作。預計在2030年代以後普及的1奈米產品運算性能將較2奈米提高10%-20%。

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資料顯示,Rapidus於2022年8月成立,由豐田、Sony、NTT、NEC、軟銀(Softbank)、電裝(Denso)、NAND Flash大廠鎧俠(Kioxia)、三菱UFJ等8家日企共同出資設立,出資額各為73億日圓,且日本政府也將提供700億日圓補助金、作為其研發預算。目標是在5年後的2027年開始量產2奈米先進制程晶片。Rapidus計畫國產化的物件為使用於自動駕駛、人工智慧(AI)等用途的先進邏輯晶片。

今年2月底,Rapidus宣佈將在日本北部島嶼北海道的千歲市建造一座2奈米晶圓代工廠。Rapidus將基於IBM的2奈米製程技術,研發Rapidus版製造技術,計畫2027年量產。該技術將聚焦高性能計算(HPC)和超低功耗(Ultra Low Power)兩大方向。

今年9月初,Rapidus的2奈米晶圓廠已經正式動工建設,目標是在 2025 年之前將其 2奈米 晶圓廠建成並試生產,隨後在2027年量產2奈米晶片。屆時,日本有望成為繼美國、中國台灣、韓國、愛爾蘭之後,成為全球第5個擁有導入EUV的晶片量產產線的地區。

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