《半導體》營運H2審慎樂觀 台亞除息前夕重掌季線

【時報記者葉時安台北報導】台亞(2340)持續擴大在高功率元件及第三代半導體材料研發投資，周四將為除息首日，台亞7月7日摔至38元的9個月以來新低價後，外資積極搶進，近半個月來漲幅達17.76%。雖然本周以來三大法人略調節持股，但股價續揚，周三收漲1.37%報44.4元，成功收復季線。

台亞股東會上將每股盈餘分配之現金股利從每股2.3元調高至3元，除息交易日為周四7月21日，現金股利發放預計為8月17日。

台亞6月營收4.35億元，年減19.90%、月減7.99%；第二季營收13.28億元，年減4.00%、季增3.60%；上半年營收26.10億元，年減12.02%。台亞也表示，半導體雜音不少，疫情、通膨、原物料供應等對生產均有些干擾，但公司也提前做些準備，市場解除困境而轉向正面，客戶已經開始慢慢釋出訂單，今年下半年可望比上半年接單狀況佳，今年下半年產能預估也會比上半年好，公司下半年營運審慎樂觀。

台亞今年4月1日新上任的總經理衣冠君日前表示，台亞目前積極轉型往半導體產業發展，擴大招募半導體專業經理人及研發人員加入團隊，目標在搶攻次世代感測元件於工業應用、電動車電源、感測晶片等利基市場。除了次世代感測元件，2021年開始籌建積亞半導體(Pro-Asia Semiconductor Corporation)專注開發以碳化矽(SiC)襯底的高功率元件。今年更進一步規畫下半年擴大台亞現有廠房潔淨室區域，投入氮化鎵(GaN)磊晶及元件的研發及生產，預計於2023年前提供關鍵樣品供合作客戶進行驗證。

台亞矽領域已有一定成績，氮化鎵將取代目前矽，電子汽車、光伏產業、充電樁等都有空間應用。

衣冠君也提到，台亞過去在磊晶及分離器件製造技術上已有相當深厚的基礎，將擴大加強與上游IC設計公司及下游封測及產品的合作，將可於短時間內製作出高電子遷移率電晶體(Power HEMT)樣品，提供給客戶進行驗證。台亞將以氮化鎵為基礎的第三代半導體的功率器件作為主要產品，其相對於矽基的元件可以耐更高的電壓，比起碳化矽的元件能有更低的功耗，未來將結合氮化鎵與碳化矽，發展出高頻高效的射頻器件及模組。

黃年宏退休，總經理一職由衣冠君接任，衣冠君曾任半導體設備大廠科林研發資深總監、德州儀器、茂德、茂矽(2342)等半導體公司，擁有超過20年豐富半導體製造廠管理經驗。台亞公司自2019年由光磊科技更名以後，持續推動產品由光電朝向矽電多元化發展。而為因應市場需求成長，台亞於今年將投入8億元擴產高階產品，包括高性能光耦元件、長波長VCSEL/LED、與長波長PD等，新產能自今年上半年開始拉升。

而配合公司營運規畫，營運長由蔡育軒新任，已於今年6月1日生效，蔡育軒同樣曾任半導體設備大廠科林研發資深處長。

衣冠君更進一步揭露，台亞在於第三代半導體的時程規畫與目標，未來將持續採穩健的投資以支持第三代半導體研發及應用，爭取在全球眾多競爭者中脫穎而出。