三星電子成立HBM晶片開發團隊，寄望奪回AI半導體領頭羊地位

財訊快報

【財訊快報／陳孟朔】業內消息人士週四透露，全球最大的內存晶片製造商三星電子(005930)新成立一個專門開發高頻寬記憶體(High Bandwidth Memory，HBM)的部門，以重新奪回在人工智能(AI)半導體市場的領導地位。消息人士提到，新的HBM開發團隊是公司半導體部門組織改革的一部分，旨在鞏固研發職能並加強研究工作。高效能DRAM設計專家副總裁Sohn Young-soo領導這個團隊，此次重整是三星全英賢副會長5月下旬上任以來的首次重整。

HBM團隊將專注於下一代HBM4產品以及HBM3和HBM3E的研發。此舉突顯這家韓國科技巨頭致力於加強HBM研發結構的承諾，HBM是一種需求量很大的高效能 DRAM，特別是對於Nvidia的圖形處理單元，這是人工智慧運算的關鍵。

三星電子已開發出業界領先的12層HBM3E產品，目前正在接受Nvidia的品質測試。但該市場一直由其競爭對手SK海力士(000660.KS)以其最新的HBM3E 領先。為鞏固自己的地位，三星電子還重組其先進封裝團隊和設備技術實驗室，以增強其整體技術競爭力。

最新的變化是為提高三星在蓬勃發展的HBM市場中的競爭力而做出的。

過去幾年，三星電子的晶片業務一直受困於銷售低迷，去年營業虧損超過15兆韓元(110億美元)。從2022年第四季到2023年第四季度，公司連續五季出現營運虧損。

然而，由於記憶體晶片價格上漲，2024年第一季晶片業務反彈，實現營業利潤1.91兆韓元，銷售額23.1兆韓元。

三星電子股價週四大漲3.425至8.46萬韓元，為4月4日以來最高，反觀，競爭對手SK海力士則挫跌2.54%至23萬韓元。但三星電子今年來只漲了7.77%，SK海力士則大漲了62.54%。

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