《半導體》力旺推嵌入式EEPROM矽智財

【時報記者王逸芯台北報導】力旺 (3529) 宣布，最新推出編寫次數超過50萬次的嵌入式EEPROM(電子抹除式可複寫唯讀記憶體)矽智財(Silicon IP)，符合高溫、耐用及生命周期長的車規標準，為力旺在車用電子市場的最新布局。

力旺表示，這項強化版IP是力旺NeoEE嵌入式EEPROM家族的最新產品。新版IP編寫次數是原版的數十倍，編寫/抹除(Program/Erase)時間則縮減近半，資料保存期限在150°C高溫操作下可達10年；新版NeoEE與現有邏輯製程及車規常用的BCD製程完全相容，無需外加光罩即可整合至不同類型之製程平台。這項IP已通過晶圓廠0.18um/5V製程平台的驗證，力旺已著手布建這項技術至其他5V平台。

力旺表示，強化版NeoEE非常適合有高編寫需求的應用，包括指紋辨識、智慧卡、NFC、RFID，電源管理IC和微處理器等，此外，這項IP的耐受度(endurance)、高溫操作及生命周期完全依照AEC-Q100的車規標準設計，並通過嚴格的測試。

力旺的嵌入式非揮發性記憶體(Non-volatile Memory)矽智財市占率領先全球，已累積十多年的量產經驗，此次力旺透過優化記憶體單元架構及採用新的編寫/抹除運算法，減輕重複編寫造成的記憶體損耗，大幅提升NeoEE的重複編寫能力至50萬次以上。力旺表示，強化版NeoEE經過長達2500個小時150°C高溫測試後，編寫和抹除位元狀態依舊穩定，並無電流(壓)增加或流失的現象，NeoEE結構簡單，抹寫次數可高達1千至50萬次以上，最高容量達16K bits，可操作溫度區間為-40~150°C，資料保存期限長達10年，由於與現有邏輯製程完全相容，NeoEE無需外加任何光罩即可整合至不同類型之製程平台，代工廠導入成本極低且可節省產品開發時間。另外，NeoEE還具備低功率消耗的優點。