Transphorm發佈業界首款1200 V GaN-on-Sapphire

【財訊快報／記者張家瑋報導】氮化鎵功率半導體大廠Transphorm發佈業界首款1200V GaN-on-Sapphire模擬模型初步數據表，該發佈顯現Transphorm未來有能力取得汽車電源系統、工業、數據通信及可再生能源市場之三相電源系統市場應用。Transphorm表示，相關應用將受益於1200V GaN有更高的功率密度和可靠性，以及與替代技術相比以更合理成本效益之下，具有同等或更好的性能。GaN在以100 kHz切換5 kW 900 V降壓轉換器中的更高性能，1200V GaN可實現98.7%的效率，超過具類似額定值之SiC MOSFET。

電動車領域中，尤其是大型車輛的更高千瓦節點，正逐漸轉向到800 V電池，因此，將使用1200 V電源轉換開關來提供所需的性能水平。Transphorm的1200 V平台可成功在下一代車載充電器、DC-DC轉換器、驅動逆變器和桿充電系統中獲得青睞。

GaN-on-Sapphire製程目前已在LED市場上量產，此外，1200 V技術利用了 Transphorm當前設備GaN平台。首席技術官兼聯合創始人Umesh Mishra 表示，GaN可以非常輕鬆地在以往認定是SiC應用市場中發揮作用。