超車美光!SK海力士成功研發「238層NAND記憶體」 明年上半年量產

繼美國記憶體廠美光科技(Micron)量產全球首款232層儲存型快閃記憶體(NAND Flash),南韓記憶體廠SK海力士(SK hynix)2日宣布,已成功研發出最先進的238層NAND晶片,並計畫2023年上半年大規模量產。

SK海力士成功研發出最先進的238層NAND晶片。圖/SK海力士提供
SK海力士成功研發出最先進的238層NAND晶片。圖/SK海力士提供

SK海力士表示,已順利研發出238層堆疊的三層儲存單元(TLC)4D NAND Flash,並將樣品送交給客戶,這款面積最小的NAND記憶體將明顯改善生產效率、數據傳輸速度、功耗等特性。

2020年12月,SK海力士完成176層NAND Flash研發,時隔1年7個月,再次完成新一代技術研發,238層NAND Flash達到業界最高堆疊層數,同時實現全球最小面積。

若與上一代176層NAND Flash相比,238層NAND Flash晶片容量增加34%,傳輸速度提升50%達2.4Gbps,耗能降低20%,更符合ESG標準。

SK海力士指出,238層堆疊NAND Flash計畫先供應給PC儲存設備的cSSD(client SSD)使用,隨後將導入至智慧型手機和高容量服務器SSD等。

此外,238層堆疊的NAND Flash產品,除了有512GB容量之外,SK海力士預計明年再發布1TB的全新238層NAND Flash產品,容量將是現有的兩倍。

(審核:呂俊儀)

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