美光宣布:「232層NAND記憶體」正式量產!全球首款領先業界

美光科技(MU)27日宣布全球首款232層儲存型快閃記憶體(NAND Flash)已正式量產,採用業界頂尖的創新技術,將為儲存解決方案帶來效能;此外,也具備最高的單位儲存密度(areal density),提供與前幾代NAND相比更高的容量和更佳的能源效率。

美光232層NAND技術堆疊示意圖。圖/美光提供
美光232層NAND技術堆疊示意圖。圖/美光提供

美光技術與產品執行副總裁(Scott DeBoer)表示,232層NAND是針對176層NAND技術進行設計改進,包括建立高深寬比結構的先進製程能力、新型材料的開發,首次證明美光具有將3D NAND擴展到200層以上的製造能力。

美光表示,232層NAND技術具備高性能儲存,可以支援資料中心和汽車應用所需的先進解決方案和即時服務,也能提供行動裝置、消費性電子產品和個人電腦所需的回應速度及沉浸式體驗。

此外,美光232層NAND的技術節點,比176層製程節點提供的介面數據,傳輸速度快50%;與前一代產品相比,每晶粒寫入頻寬提高100%,讀取頻寬也增加超過75%,進一步強化SSD和嵌入式NAND解決方案的性能和能源效率。

美光指出,232層NAND目前正在新加坡晶圓廠量產,會優先以封裝顆粒形式及透過Crucial SSD消費性產品系列向客戶出貨,並於日後發布更多產品和供貨資訊。

(審核:呂俊儀)

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