OPPO Reno10手機導入低壓氮化鎵晶片，氮化鎵應用從充電頭擴及裝置端

【財訊快報／記者張家瑋報導】中國智慧型手機品牌大廠OPPO日前推出第10代代表作Reno10，外界主要聚焦於超強鏡頭功能及前後雙曲面螢幕設計，然而值得注意細節，根據國外專業拆解網站發現，該款手機將低壓氮化鎵晶片導入手機內部，大幅降低手機充放電耗損並節省手機內部空間，意味著氮化鎵應用已由充電頭擴及到手機裝置內部，化合物半導體應用正逐漸在手機裝置蔓延開來。當外界被OPPO Reno10高畫素變焦鏡頭及長待機時間所驚艷之際，OPPO在手機內部設計進行一些革新，將低壓氮化鎵晶片導入智慧型手機內部，替代傳統手機內部的兩顆SiMOS，更低導通的手機電池充、放電功能降低功率損耗，並節省手機內部空間，不僅讓Reno10系列更為輕薄，也大幅提升手機電池容量、增強待機時間。

根據拆解網站訊息顯示，該Reno 10系列是採用英諾賽科40V低壓氮化鎵晶片INN040W048A，該晶片支援雙向導通，具備超高開關速度、導通電阻極低、無反向恢復等特性。不僅可讓手機內部空間得到高效利用，還能降低手機在充電過程中的溫升，在快速充電時保持比較舒適的機身溫度，延長電池使用壽命，手機內部騰出空間，得以置入4600mAh/4700mAh的大電池。

此外，OPPO自行開發SUPERVOOC S電源管理晶片對內部氮化鎵VGaN的直接驅動，節省45%的快充器件面積，從而支持80W/100W超級閃充，使續航能力和快充速率大大增強。

目前英諾賽科VGaN已相繼在OPPO Reno7、Realme GT2、一加Ace2、摩托羅拉 Edge40等多款品牌手機中得到應用，大幅減少體積約60%至70%，峰值功率發熱降低至少85%。