5G加速 聯電首推RFSOI 3D IC解決方案

聯電昨(2)日所推出業界首項RFSOI 3D IC解決方案,此55奈米RFSOI製程平台上所使用的矽堆疊技術,在不損耗射頻(RF)效能下,可將晶片尺寸縮小逾45%,聯電表示,此技術將應用於手機、物聯網和AR/VR,為加速5G世代鋪路,且該製程已獲得多項國際專利,準備投入量產。

聯電表示,RFSOI是用於低雜訊放大器、開關和天線調諧器等射頻晶片的晶圓製程。隨著新一代智慧手機對頻段數量需求的不斷增長,聯電的RFSOI 3D IC解決方案,利用晶圓對晶圓的鍵合技術,並解決了晶片堆疊時常見的射頻干擾問題,將裝置中傳輸和接收資料的關鍵組件,透過垂直堆疊晶片來減少面積,以解決在裝置中為整合更多射頻前端模組帶來的挑戰。該製程已獲得多項國際專利,準備投入量產。

聯電指出,RFSOI解決方案系列從130到40奈米的製程技術,以8吋和12吋晶圓生產,目前已完成超500個產品設計定案,出貨量更高達380多億顆。

聯電技術開發處執行處長馬瑞吉(Raj Verma)表示,聯電領先業界以創新射頻前端模組的3D IC技術打造最先進的解決方案,這項突破性技術不僅解決5G/6G智慧手機頻段需求增加所帶來的挑戰,更有助於在行動、物聯網和虛擬實境的裝置中,透過同時容納更多頻段來實現更快的資料傳輸。未來將持續開發如5G毫米波晶片堆疊技術的解決方案,以滿足客戶對射頻晶片的需求。

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