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4年後中國成熟製程占比估至33% 集邦：聯電、力積電、世界先進首當其衝
中國積極推動半導體在地化生產、IC國產化等政策與補貼，TrendForce預估，中國成熟製程產能占比將從今年的29%，成長至2027年的33%，其中，中芯國際、華虹集團、合肥晶合集成擴產最積極；同期台灣成熟製程占比則會從49%，收斂至42%。
集邦科技調查，2023-2027年全球晶圓代工成熟製程（28nm及以上）及先進製程（16nm及以下）產能比重大約維持在7比3。
以成熟製程個別應用領域來看，Driver IC方面，集邦分析，主要採HV（高壓）特殊工藝，各家業者近期聚焦40/28nm HV製程開發，目前市場製程技術較領先業者是聯電，其次是格羅方德。
不過，集邦指出，中芯國際28HV、合肥晶合集成40HV將先後於今年第四季、明年下半年進入量產階段，並與其他晶圓代工業者技術差距逐漸縮小，尤其製程能力與產能相當的競爭者如力積電，或暫無十二吋廠的世界先進、東部高科短期內將首當其衝；對聯電、格羅方德中長期來看也將造成影響。
CIS/ISP方面，集邦認為，3D CIS結構包含邏輯層ISP與CIS感光層，主流製程大致以45/40nm為分水嶺，邏輯層ISP製程將持續往更先進節點發展；CIS感光層與FSI/BSI CIS則以65/55nm及以上為主流。
目前技術領先業者以台積電、聯電、三星為主，但中國業者中芯國際、合肥晶合集成緊追其後，除持續追趕製程差距，產能也受惠中國智慧手機品牌OPPO、Vivo、小米等出海口支撐，加上中國CIS業者OmniVision、Galaxycore與SmartSens因應政府政策，陸續將訂單移回中國進行投產支撐。
Power Discrete（功率元件）部分涵蓋MOSFET與IGBT，集邦表示，世界先進、HHGrace深耕Power Discrete製程已久，製程平台及車規驗證覆蓋完整性皆較其他同業更高。
受惠中國電動車補貼政策及鋪設太陽能相關基礎建設，中國晶圓代工業者據此獲得更多切入機會，包含主流代工廠HHGrace、中芯國際、合肥晶合集成、CanSemi在內業者，加上中國本土小型的Power Discrete IDM、晶圓廠如GTA及CRMicro等均加入Power Discrete競爭行列。若中國產能同時大量開出，將加劇全球Power Discrete代工競爭壓力，影響性不僅限於中國本土同業的價格戰，也可能分食台系業者的訂單及客戶。
整體而言，中國透過積極招攬海外及境內IC設計業者投產或研發新品，目的為提高本土化生產的比例，但大幅擴產結果可能造成全球成熟製程產能過剩，且隨之而來的將會是價格戰。
TrendForce強調，中國成熟製程產能陸續開出，針對Driver IC、CIS/ISP與Power discrete等本土化生產趨勢將日漸明確，具備相似製程平台及產能的二、三線晶圓代工業者可能面臨客戶流失風險與價格壓力，如聯電、力積電與世界先進等以特殊製程產品為大宗的台系業者將首當其衝，技術進展和良率將是後續鞏固產能的決勝點。
Yahoo財經特派記者 呂俊儀：資深財經媒體工作者，曾任採訪團隊主管，專訪過長榮集團創辦人張榮發、鴻海創辦人郭台銘，也歷經台積電創辦人張忠謀退休記者會等大事件，堅持產出最專業、富有洞見的新聞。
