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韓DRAM、NAND領先中5年、2年 長鑫儲存良率低
MoneyDJ新聞 2022-05-31 14:12:25 記者 郭妍希 報導
根據研究，南韓在DRAM、NAND型快閃記憶體方面的科技，分別約領先中國5年及2年。
Business Korea 31日報導，韓國輸出入銀行(Export-Import Bank of Korea)旗下海外經濟研究所(Overseas Economic Research Institute, OERI)30日發表研究報告指出，長鑫儲存(CXMT)今(2022)年計畫量產第二代10奈米(1y或16~17奈米)的DRAM。相較之下，三星電子(Samsung Electronics)及SK海力士(SK Hynix)則計畫今年底或明年量產第5代10奈米(1b或12~13奈米)DRAM。
OERI指出，考慮到每一個世代的技術差距約是兩年至兩年半，兩國的技術差距大概超過五年。
尤其是，三星、SK海力士已導入(或計劃導入)極紫外光(EUV)微影設備進行超精細製程，中國企業卻因美國制裁而受限。許多專家因此認為，中國要縮短跟南韓的差距並不容易。
不只如此，中國晶片製造商的良率也偏低。根據OERI分析，長鑫儲存第一代10奈米(1x或18~19奈米)DRAM雖已於2019年量產，兩年後的良率仍只有75%；其第二代DRAM的良率也只有40%。
OERI資深研究員Lee Mi-hye指出，由於嚴重的技術差距、加上西方制裁，長鑫儲存的DRAM市佔(2021年底不到1%)恐怕難以大幅反彈。
NAND型快閃記憶體方面，中國的技術大約落後南韓兩年。報告稱，長江存儲(YMTC)2021年8月開始量產第6代(128層)3D NAND型快閃記憶體，而三星、SK海力士早在2019年就量產。南韓業者計畫今年底至明年初量產超過200層的NAND，但長江存儲預料得等到2024年。
Lee指出，中國業者恐怕難以由虧轉盈，但在中國政府的持續支援下，長期仍可能威脅到南韓企業。倘若美國決定加碼制裁中國製晶片，那麼南韓、中國的技術差距應有望維持。
報導並指出，專家相信南韓的晶圓代工技術大約領先中國五年。
ASML二手微影設備成陸企搶手貨
南華早報3月16日引述未具名消息人士報導，中國目前無法取得先進的極紫外光(EUV)微影設備，這種設備是7奈米製程以下晶片的必備品。由於華盛頓施壓，2020年荷蘭政府扣住執照，阻止ASML將最新EUV微影設備出口到中國。ASML是全球唯一一家EUV微影設備供應商。
根據報導，由於美國祭出貿易限制、再加上中國國內幾乎找不到能替代ASML的機台，當地科技業者不得不向日本、南韓、台灣、新加坡、美國購買二手設備，當中甚至包括1980年代打造的機器。消息人士透露，中國國內目前沒有晶圓光學步進機(stepper)「AT:850C」的替代品。
路透社報導，ASML執行長Peter Wennink 1月19日曾指出，該公司尚未獲得荷蘭政府核准向中國出貨最先進的微影設備。他認為，中國不太可能自行複製微影技術，因為ASML靠的是「不間斷的創新工作」，並整合非中國供應商提供的零組件。不過，「他們肯定會嘗試。」
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資料來源-MoneyDJ理財網
