《科技》第三代半導體國產化起跑 4億扶3廠

【時報-台北電】在電動車、5G通信、低軌衛星浪潮下，第三代半導體（化合物半導體）成為新的兵家戰場，但目前這塊技術與材料掌握在國外大廠手中，政府今年起將啟動國產化計畫，扳回劣勢。經濟部預計撥出4億，5月起先補助2家半導體廠研發8吋碳化矽長晶生產設備，再補助1家8吋氮化稼磊晶設備廠，目標2024、2025年「開花結果」，讓化合物半導體設備國產化，不仰人鼻息。

大家熟知的護國神山台積電的矽晶圓，屬於第一代半導體，第2代砷化鎵（GaAs）主要用在射頻元件，第三代半導體，國內俗稱為化合物半導體，則是近兩年最夯的新世代產品，主要是碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）兩種晶圓材料，因其高速、抗高電壓的特性，成為高頻通訊及動力電子元件所需。

台灣雖是半導體大國，第三代半導體應用技術與材料，卻不在我們手上。經濟部工業局官員說，這市場還在發展階段，不管是晶體生長、晶片切割，到後端的鍍膜製程，主要在美國科銳、貳陸、日本羅姆等幾家大廠手上。

國內廠商雖具備4吋及6吋化合物半導體長晶設備能力，但設備自製率、生產良率都偏低。面對下一個主流是8吋市場，市場預期可能提早到2023年就要開打，對台有時間壓力。為了加速8吋碳化矽設備自製能力，經濟部規畫分年編4億，啟動「化合物半導體設備發展推動計畫」，預計在上游的碳化矽晶圓預計補助2家、中游的磊晶與晶片製造1家，扶植3家達成自製能力。

首階段重點是培養國內自製8吋碳化矽長晶爐設備，5月要挑國內2家半導體廠，分別是導電型與絕緣型各一家，每家補助一半研發經費，最高1.5億。

長晶設備是生產晶錠的基礎，經過切割後，才能在基板上做成磊晶。因此今年也會收件補助1家8吋氮化稼磊晶設備廠，最高1億。經濟部表示，挑選重點為，須在技術層級有超越國內業界水準，且具有市場接單能力。

官員說，計畫目標在2024、2025年前能開花結果，建立碳化矽設備的國產化能力，「政府要集中資源，推廠商一把！」

除了長晶爐與磊晶設備國產化，經濟部技術處長邱求慧表示，該處也跟雷射中心合作，研發用於化合物半導體的雷射加工設備。另跟法人研發應用於電動車的碳化矽元件，預計4年內有成果，移植給國內廠商，建立國產能力。(新聞來源：中國時報─王玉樹／台北報導)