日月光推小晶片互聯技術 鎖定AI應用商機

柳名耕
日月光半導體21日宣布VIPack平台先進互連技術的新進展，晶片與晶圓間的互聯間距從40um提升至20um。（示意圖／摘自日月光官網）
日月光半導體21日宣布VIPack平台先進互連技術的新進展，晶片與晶圓間的互聯間距從40um提升至20um。（示意圖／摘自日月光官網）

日月光半導體21日宣布VIPack平台先進互連技術的新進展，透過凸塊技術將晶片與晶圓互聯間距的製程能力，從40um提升至20um，在新一代垂直整合與2D並排解決方案中相當重要，可以滿足AI應用小晶片整合的需求。

日月光指出，小晶片設計方法的加速進化，對於以往存在晶片IO密度限制進行真正的3D 分層IP區塊，日月光的先進互連技術使設計人員能夠有創新的高密度小晶片整合選項。日月光的微凸塊技術使用新型金屬疊層（metallurgical stack），將間距從 40um 減少到 20um。微凸塊技術的進步擴展現有的矽與矽互連能力，此技術更有助於促進其他開發活動，從而進一步縮小間距。

當針對系統單晶片（SoC）進行小晶片或IP區塊解構（disaggregation）時，區塊之間可能存在大量的連接。而小尺寸IP區塊往往會導致許多空間受限的連接。微間距互連技術可以實現3D整合以及更高密度的高IO記憶體（high IO memory）。

月光集團研發處長李長祺表示，矽與矽互連已從銲錫凸塊進展到微凸塊技術，隨著我們進入人工智慧時代，對於可跨節點提升可靠性和優化性能的更先進互連技術需求日益增長，我們通過新的微間距互連技術突破小晶片整合障礙，並將持續突破極限以滿足小晶片整合需求。

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