搶市佔!傳三星明年擬砸10兆韓圜 擴產記憶體/晶圓代工

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MoneyDJ新聞 2020-11-24 10:25:09 記者 陳苓 報導

三星電子預料明年景氣將復甦,據傳要增加DRAM、NAND flash、晶圓代工產能,準備藉此衝刺市佔,擴大和競爭對手的差距。

韓國時報報導,美系資產組合經理人23日表示:「(增產理由是)明年全年DRAM、NAND將嚴重短缺,帶動價格和獲利復甦」。他說,三星正與零件供應商討論,準備下單。據了解三星DRAM的每月晶圓產能將增加3萬片、NAND增加6萬片、晶圓代工增加2萬片。

增加產能主要在三星南韓平澤(Pyeongtaek)工廠。三星第三季財報會議表示,記憶體晶片庫存回到合理水位,該公司接到更多高利潤的伺服器訂單,預料市況將出現「有意義的逆轉」(meaningful turnaround)。NH Investment分析師Do Hyun-woo說:「三星會積極生產NAND記憶體,不過將對DRAM維持保守態度。由於晶圓代工晶片將短缺,明年三星至少會對平澤廠和美國德州奧斯汀廠投資10兆韓圜」。

該資產組合經理人透露:「一般認為三星不會大幅增加記憶體的晶圓產能,以免重蹈2018年覆轍,這次的上行循環中,(三星)增產作法將更理性。三星調整策略,可能是要趁數位變化、供給收緊時,搶下更大市佔」。

三星優勢鬆動?美光率先推176層NAND


三星電子在NAND flash記憶體的領先地位鬆動?美國記憶體大廠美光(Micron)超車三星,搶先發布了176層的NAND flash。據悉三星苦苦追趕,希望能在明年推出160層或176層的NAND flash。

The Motley Fool先前報導,週一(9日)美光宣布,研發出業界首見的176層NAND flash,已經進入量產,並出貨給客戶。據了解業界領袖三星仍停留128層,正加緊研發,打算在2021年4月之前,推出160層或176層NAND flash。

美光的NAND市佔只有三星的1/3,卻捷足先登、率先研發出176層科技(見下圖)。176層NAND flash比128層多了近40%,是重大領先優勢,美光有望取得更多獲利。

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資料來源-MoneyDJ理財網