《國際產業》英飛凌GaN晶片技術突破 拚大舉攻占市場
【時報編譯張朝欽綜合外電報導】德國半導體大廠英飛凌(Infineon)在周三表示,在不斷成長的氮化鎵(GaN)晶片市場,未來公司將占有一大部分的份額。此前英飛凌宣布一項技術突破,稱可大幅降低成本。
英飛凌執行長Jochen Hanebeck告訴記者,到2030年前,該項技術的市場規模將達到數十億美元。他說:「我們希望去形塑這個市場」。
GaN在晶片製造中是用作矽的替代品,主要是因為GaN晶片在效率、速度、重量,以及在高溫環境和高電壓下的工作能力表現,因而受到青睞。這些晶片可以用來製造體積更小和更高效的充電器,為筆電、智慧型手機和電動車等充電。
Hanebeck說,預計GaN晶片的市場價格,在未來幾年將接近矽晶片的價格。
英飛凌目前已經可以在12吋晶圓上生產GaN晶片,該項發展被公司譽為是世界第一。
Hanebeck指出,12吋晶圓上可容納的GaN晶片數量,是8吋晶圓的2.3倍,因此可大幅降低生產成本。