《國際產業》英飛凌GaN晶片技術突破 拚大舉攻占市場

時報資訊

【時報編譯張朝欽綜合外電報導】德國半導體大廠英飛凌(Infineon)在周三表示，在不斷成長的氮化鎵(GaN)晶片市場，未來公司將占有一大部分的份額。此前英飛凌宣布一項技術突破，稱可大幅降低成本。

英飛凌執行長Jochen Hanebeck告訴記者，到2030年前，該項技術的市場規模將達到數十億美元。他說：「我們希望去形塑這個市場」。

GaN在晶片製造中是用作矽的替代品，主要是因為GaN晶片在效率、速度、重量，以及在高溫環境和高電壓下的工作能力表現，因而受到青睞。這些晶片可以用來製造體積更小和更高效的充電器，為筆電、智慧型手機和電動車等充電。

Hanebeck說，預計GaN晶片的市場價格，在未來幾年將接近矽晶片的價格。

英飛凌目前已經可以在12吋晶圓上生產GaN晶片，該項發展被公司譽為是世界第一。

Hanebeck指出，12吋晶圓上可容納的GaN晶片數量，是8吋晶圓的2.3倍，因此可大幅降低生產成本。

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