南亞科H2營運主軸設定10奈米1A製程量產，新廠目標三年後裝機

【財訊快報／記者李純君報導】本土DRAM大廠南亞科(2408)，今日召開股東會，董座吳嘉昭表示，公司下半年的營運主軸是第一代10奈米（1A）的量產，南林科技園區中興建的新廠，今年年中動土興建無塵室，目標是3年後裝機量產。 吳嘉昭提到，2021年前三季隨產業復甦，帶動營運快速回溫，但進入去年第四季開始，長短料等問題影響終端產品的產出，連帶導致DRAM市況小幅修正，去年全年南亞科的DRAM平均單價年增四成。在量價齊揚下，南亞科去年成績不錯，全年營收856億元，年增40%，稅後淨利228.5億元，全年每股淨利7.4元

吳嘉昭也補充，在5G、AI、物聯網、大數據、自駕車及元宇宙等趨勢帶動下，DRAM每年的位元需求成長率可達15%至20%。此外，他也引用市調單位的預測估算，提到2022年DRAM供應商的增產數量與需求成長幅度相當。

展望下半年，南亞科的營運主軸，將是第一代10奈米（1A）的量產，公司將完成8Gb DDR4客戶驗證，也會準備DDR5的產品。此外，第二代10奈米（1B）也開始試產，今年下半年將會購入第一期量產所需的機器設備，今年1A及1B製程投資金額約284億元。再就擴產規劃部分，吳嘉昭提到，南林科技園區的新廠，預計今年年中動土興建無塵室，預計3年後開始裝機量產，該投資案金額共計約3,000億元。