南亞科挑戰年中損平，16Gb DDR5今年可產出，RDIMM今年底前Tape Out

【財訊快報／記者李純君報導】記憶體製造商南亞科(2408)針對今年何時可以由虧轉盈，公司回應，挑戰年中損益兩平。而16Gb DDR5產品預計2024年導入生產，DDR5今年佔比不會太大，努力單月營收貢獻達10%。並宣布，RDIMM今年年底前Tape Out，明年開始通過認證量產出貨。針對何時可以轉盈，南亞科表示，去年DRAM價格跌得較深，回升需一些時間，營運逐季改善的機會高，挑戰年中損益兩平，公司會以此為目標持續努力，逐季改善。

至於重要技術與產品展望，預期1B製程技術8Gb DDR4與16Gb DDR5產品預計2024年導入生產。3D堆疊技術研發進行中，用於開發高密度RDIMM產品，目標伺服器市場。此外2024年預期全年位元成長率20%以上，將逐季成長。

南亞科提到，AI應用廣泛，最近因OPEN AI與生成式AI帶起熱潮，對頻寬要求較高，帶動HBM需求，但HBM其實已發展多年，早期大型網路公司已開始小量應用。目前HBM整個市場從位元來看量並不大(約低於2%)，但營收估計可能將近10%。但價格可能提升5倍。而此2%的市場，三大國際DRAM廠目前爭相搶占，競爭激烈。

考量HBM需要高頻寬記憶體(高IO)，Die Penalty較高，成本可能要到2.5-3倍 (依營運規劃及產量而異)，且須與三大廠直接競爭，加上搭配還需大量控制晶片，需有合適的合作夥伴，遂與南亞科的策略較不相同。

南亞科直言，公司是以3D IC為主目標，開發AI運算時亦大量使用的高密度RDIMM。該市場較HBM大，利潤也較佳。以南亞科推動自主研發來看，目標是先逐步先3D技術做好。該產品的Die Penalty較小，為應用TSV之3D IC產品。南亞科先前已有HBM、TSV技術經驗，因此技術面的瓶頸是能夠克服的。市場將持續動態變化，但目前依整體考量，較適合南亞科切入。而南亞科TSV開發會有策略夥伴，目前需要量產設備與經驗。