《半導體》鎧俠建新廠 力成直接受惠

【時報-台北電】NAND Flash大廠鎧俠（Kioxia）及威騰（WD）共同宣布完成第六代162層的3D NAND的BiCS6技術開發，新技術與上一代相較不僅降低單位製造成本，也使每片晶圓可生產晶粒數增加70％。同時，鎧俠宣布將在日本三重縣擴建Fab 7新廠及在日本岩手縣擴建K2新廠，預計2022年上半年投產。法人看好鎧俠的技術推進及積極擴產，後段封測合作夥伴力成（6239）將直接受惠。

力成1月合併營收月減1.6％達60.93億元，與去年同期相較減少3.9％。力成第一季受到工作天數減少及記憶體業務面臨庫存調整，季度營收將略低於上季，但力成執行長謝永達表示，邏輯IC封測業務接單強勁，記憶體封測業務3月後回升，對2021年營運維持樂觀看法。

今年以來DRAM市場供不應求帶動價格上漲，NAND Flash雖然仍在庫存調整，但預期第一季供需趨於平衡且價格止跌，業界對今年DRAM及NAND Flash強勁需求維持樂觀看法，上游記憶體廠已提升產能利用率至滿載投片，力成承接美光、英特爾、鎧俠、威騰等記憶體封測訂單亦同步看旺，營運可望逐季成長至下半年。

鎧俠及威騰合作開發的第六代3D NAND擁有超越傳統八維堆疊儲存通孔陣列的先進架構，橫向儲存單元陣列密度較第五代技術大幅提升10％。此橫向擴充的先進技術與162層堆疊垂直記憶體結合，使每晶粒尺寸相比112層堆疊技術減少40％，達到最佳成本效益。面對SK海力士收購英特爾NAND Flash事業，合併市占率可能高於鎧俠，鎧俠計畫擴產因應。鎧俠已與威騰合作並宣布在日本三重縣興建Fab 7（Y7棟），將導入最新的第六代3D NAND技術，同時宣布在日本岩手縣現有K1廠旁預留的13.6萬平方公尺面積再興建K2廠，今年上半年開始動工，預估兩座廠會在2022年上半年開始生產。

雖然第一季NAND Flash市場仍供給過剩導致合約價較上季小跌5％以內，但預期季度將達供需平衡。由於疫情帶動數位轉型，5G手機及筆電等銷售暢旺，內建固態硬碟（SSD）出貨強勁，力成第一季NAND Flash封測接單維持高檔，受惠上游客戶擴產並加快3D NAND製程升級，NAND Flash封測訂單能見度已看到下半年。（新聞來源：工商時報─記者涂志豪／台北報導）