《半導體》華邦電聯手力成 開發2.5D/3D先進封裝業務

【時報記者葉時安台北報導】全球半導體記憶體解決方案領導廠商華邦電(2344)、記憶體封測廠力成(6239)雙雙宣布雙方簽訂合作意向書,共同開發2.5D(Chip on Wafer on Substrate)及3D先進封裝業務。隨著AI技術快速演變,市場對高頻寬及高速運算的需求激增,進而帶動先進封裝及異質整合技術的需求。華邦電作為記憶體業界領先者,攜手業界封測領導廠商共同引領此技術浪潮,以提供異質整合封裝技術。力成科技作為業界的領先者,堅定決心投入並引領這場技術浪潮。

本合作業務開發專案之合作方式將由華邦提供CUBE(客製化超高頻寬元件)DRAM以及客製化矽中介層(Silicon-Interposer)、同時整合去耦電容(Decoupling Capacitor)等先進技術,搭配力成科技所提供之2.5D及3D封裝服務,這項戰略合作旨在助力市場對先進封裝的強烈需求以符合客戶期望。

華邦電創新之矽中介層技術與力成科技2.5D及3D異質整合封裝技術結合後,將完整實現高效能邊緣AI運算;搭配華邦電最新發表的CUBE,若選擇利用3D堆疊技術並結合異質鍵合技術(Hybrid Bond),可滿足邊緣AI運算裝置不斷增長的記憶體需求,是華邦電實現跨平台與介面部署的重要一步。

本合作業務開發案之合作方式將採由力成科技提供所需之2.5D及3D先進封裝服務,包括但不限於Chip on Wafer、凸塊(Bumping)及矽穿孔(TSV, Through Silicon Via)via-reveal封裝等,力成將優先推薦客戶使用華邦電之矽中介層(Silicon-Interposer)及其他產品,包括動態隨機存取記憶體(DRAM)及快閃記憶體(Flash)等以完成前述之先進封裝服務,進而達成異質整合以滿足市場對高寬頻及高效能運算的服務需求。

這不僅強化了產品之高寬頻性能,還降低資料傳輸所需的電力,從而迎合AI時代對高速運算及低耗能的期望和需求。力成和華邦電透過全面的上下游整合服務,將能夠為客戶提供更多異質整合方案,以促進AI技術的發展,進而引領AI邊緣運算領域的迅速蓬勃發展。