《半導體》尼克森 搶食5G、電動車有望

【時報-台北電】5G及電動車浪潮推動下，能承載更高電壓、效率更好的碳化矽（SiC）已經成為國際大廠搶攻的新藍海，金氧半場效電晶體（MOSFET）尼克森 （3317） 2019年已經完成開發SiC高壓MOSFET，2020年將進軍大電流及第三代絕緣柵雙極電晶體（IGBT）領域，未來搶食5G、資料中心及電動車市場可期。

5G、電動車需求持續推動下，開始加速SiC相關元件技術發展，由於SiC對比現在採用的矽（Si）在耐電壓方面有大幅提升，SiC可承受電壓幾乎都是600V起跳，且具備低功耗特性，因此對於能源轉換效率上明顯優於過往產品，未來將可望被大量應用在5G、電動車、資料中心及消費性市場。

據了解，隨著歐盟環保法規不斷強化，新一代汽車、電動車都必須提升能源轉換效率，SiC及GaN等寬能隙製程已經成為一級零組件大廠搶攻的焦點，另外5G由於功率提升，因此功耗亦相較4G提升，舉凡基地台及其他基礎建設也開始有採用SiC及GaN的趨勢，顯示相關商機十分龐大。

由於商機十分廣大，因此舉凡意法半導體及英飛凌等國際大廠都相繼投入這塊市場，並開始逐步量產出貨，搶食這塊SiC商機。

市場傳出，尼克森不落人後，已經完成開發SiC製程平台的600V及1200V的Power MOSFET產品線，有機會在2020年開始出貨，搶攻這塊SiC新藍海市場。不僅如此，尼克森規劃在2020年投入新一代的SiC製程平台研發，預計將會搶攻650V及1200V的大電流Power MOSFET等新產品研發，提前佈局後續即將爆發的SiC市場，且在新世代功率半導體市場表現也領先同業。

另外，IGBT產品部分，尼克森亦有所斬獲。法人指出，尼克森2019年已經完成第二代650V截止型（FS）IGBT研發，預期2020年將再度投入第三代650V及1200V的IGBT研發，可望在2020年傳出好消息。

觀察尼克森近期業績表現，4月合併營收月成長21.5％至2.46億元，寫下五個月以來高點。法人看好，尼克森第二季將可望受惠於PC市場需求成長，帶動MOSFET出貨上揚，繳出明顯優於第一季的成績單。(新聞來源：工商時報─記者蘇嘉維／台北報導)