《半導體》IET產能年增5成，營運動能強

【時報-台北電】IET-KY （4971） 德州新廠年中投產，產能將大增5～6成，總經理高永中說，今年營運有三利器，包括汽車防撞雷達ADAS、垂直共振腔面射型雷射（VCSEL）及銻化鎵高階元件，新廠投產後，初期會有5條生產線導入，其中2台可生產高功率與高速砷化鎵VCSEL磊晶片，搶攻藍海商機。

高永中表示，今年營運最大動能來自VCSEL，營收占比可望由低個位數攀升至高個位數，明年營收占比朝1成的目標前進。法人預估，IET-KY今年產能大增，再加上高階產品導入，全年營收將會成長10～15％。

由於IET-KY新廠位於蘋果3D感測供應商Finisar同一條街道，IET-KY拉晶廠原本在Finisar之中，現已遷移，但未來有望就近供應相關磊晶產品。

高永中表示，按目前進度，VCSEL將鎖定高階伺服器產品為主，明年將逐步朝消費性產品為主。這種說法，也間接證明Finisar打入蘋果3D感測的占比不大，主要供應鏈仍是Lumentum為主。

IET-KY去年每股盈餘（EPS）達3.56元，主攻砷化鎵磊晶，廠房位於美國德州，與全球第一大磊晶廠IQE，均是少數採用分子束磊晶（MBE）技術生產化合物半導體磊晶片的半導體廠。

高永中指出，目前營收主力仍以砷化鎵產品為主，占比5成以上，包括汽車防撞雷達晶片用於ADAS市場持續成長，新產品則是以VCSEL用於3D感測以及25G資料中心成長顯著；另銻化鎵高階元件製程發展、MBE硬體構件擴大市場，都是今年產品推廣的重點。

IET-KY今年起受惠美國政府調降企業所得稅，稅率並由35％大幅調降至21％，稅後淨利率有望走高。高永中表示，去年毛利率提升主要受惠於高毛利產品成長，加上推銷、管理、及研發等營業費用總額較前一年度略減525萬元所致，若加入營業外收支後，去年稅前盈餘達1.82億元，創下歷年新高。

此外，高永中表示，今年也將完成新建廠房相關之產能擴充及人員配置，並新增多台大型機台以量產高功率與高速砷化鎵VCSEL磊晶片。

高永中指出，在磷化銦部份，除應用於大型資料庫PIN／APD和5G高頻通訊用InP-HBT磊晶片外，亦將與客戶繼續共同研發各項5G應用磊晶片產品，同時進行研發生物辨識磷化銦雷射磊晶片；銻化鎵部分則會與客戶共同研發生物光電檢測磊晶片，MBE硬體構件部份持續開始，全年營運持續走高。（新聞來源：工商時報─劉家熙／台北報導）