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SiC新尖兵格棋 15億募資到位
碳化矽（SiC）長晶新創公司-格棋化合物半導體宣佈，近期完成新台幣15億元A輪募資，將投資先進晶體研發與優化製程設備，目前桃園工廠的6吋長晶產線已開始小規模試量產，並正積極尋找新廠土地，規劃明年展開大量生產。
格棋化合物半導體成立於2022年，研發團隊擁有自主先進、獨特長晶工藝與量產能力，協助客戶打造兼具高效能、高可靠性碳化矽晶片，格棋化合物半導體已與國內知名半導體材料業者進行策略合作，攜手搶攻未來第三類半導體應用市場龐大商機。
格棋化合物半導體定位為專業碳化矽晶體（Ingot）與晶圓（Wafer）供應商，團隊成員長期浸淫第三代化合物半導體的市場發展與工藝技術開發，在此領域擁有超過10年經驗，特別是在晶體成長與熱場設計上擁有出色的專業技術能力，也因此吸引特定專業投資人的關注，近期甫順利完成新台幣15億元A輪募資。
格棋執行長葉國偉強調：「碳化矽化合物半導體的高效、高頻與耐高溫特色，特別適用於電動車與混合動力車的車載系統中，在技術成熟與成本降低兩大優勢下，商機快速放大，目前已出現供貨短缺現象。」研究機構TrendForce估2023年碳化矽功率元件整體市場規模量將達22.8億美元，年成長率超過40％。
葉國偉說：「為滿足市場需求，全球半導體供應鏈各指標性大廠紛紛開始積極行動，幾家關鍵性廠商已全力提供高品質碳化矽晶圓。國際性大廠也提出相關的發展藍圖，陸續開發出多款相關產品。種種跡象顯示，化合物半導體製造端，各指標性大廠積極投入製程技術研發，以滿足客戶需求。」
格棋團隊專攻物理氣相傳輸法（Physical Vapor Transport, PVT）長晶技術，碳化矽單晶產品，具品質高、缺陷密度低，運作穩定等優點，目前團隊已具備6吋N-type晶體量產製程能力，今年5月成功開發出8吋N-type晶體及6吋半絕緣晶體。近期6吋N-type晶體產線良率提升，開始進入小規模試量產。
