鴻海半導體布局邁大步 搶占電動車功率元件先機

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(中央社記者鍾榮峰新竹2021年8月5日電)鴻海 (2317) 今天以新台幣25.2億元取得旺宏 (2337) 竹科6吋晶圓廠,強攻第三代半導體碳化矽(SiC)元件晶圓製造,鴻海不僅在半導體領域布局邁出一大步,更藉此在電動車功率元件和模組研發製造站穩先機。

旺宏今天下午與鴻海在新竹科學園區旺宏電子晶圓一廠舉辦簽約儀式,旺宏以25.2億元出售新竹科學園區的6吋晶圓廠廠房及設備給鴻海,交易產權轉移預計今年底前完成。

鴻海集團董事長劉揚偉指出,取得位於竹科的6吋晶圓廠後,鴻海將用來開發與生產第三代半導體,特別是電動車使用的SiC功率元件,這將是鴻海集團「3+3」策略中,整合電動車與半導體發展的重要里程碑。

鴻海集團「3+3」策略包括電動車、數位健康、機器人等3大產業,以及人工智慧、半導體和未來通訊等3大核心技術。

鴻海指出,半導體是鴻海發展「3+3」策略中的三大核心技術之一,未來規劃以旺宏6吋晶圓廠,切入第三代半導體發展;第三代半導體具備尺寸小、效率高、散熱迅速等特性,適合應用在5G基地台、加速快充及電動車充電樁等相關產品領域。

產業人士分析指出,電動車市場成長帶動關鍵功率半導體元件和模組需求,攸關變頻、變壓、變流、功率放大、功率管理等功能,也攸關電動車快速充電效能,其中以絕緣柵雙極電晶體(IGBT)和SiC模組最為重要。

產業人士進一步分析,SiC模組主要由電動車大廠特斯拉(Tesla)帶動,可讓電動車加速性能佳、充飽電後里程數較遠、充電速度快且導電時間短,散熱效益可差3倍至5倍。

劉揚偉表示,從高電壓和散熱功能來看,第三代半導體SiC元件效能比氮化鎵(GaN)元件佳,可快速充電,用在車載領域,SiC元件相對有優勢;鴻海S次集團半導體事業群副總經理陳偉銘指出,在可靠度來看,SiC元件也具有優勢。

至於鴻海取得6吋晶圓廠後,如何降低SiC模組價格。劉揚偉說,市場有需求,產業有更多人力和資源投入,若生產量大就可降低價格。

對於鴻海布局SiC元件、是否因應特斯拉採用的趨勢,劉揚偉笑說,這個問題很難回答,但是特斯拉有看到SiC元件的性能優勢。

產業人士指出,電動車用SiC元件相較於IGBT元件,價格差距達10倍至15倍,因此SiC模組仍主要應用在高里程、高階的電動車款;鴻海透過取得旺宏6吋晶圓廠,就是要提早布局SiC元件,在電動車關鍵功率元件搶得商機。(編輯:張良知)