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鴻海劍指第三代半導體 國內相關供應鏈卡位大戰開跑
半導體產業這次在鴻海大動作買下旺宏6吋廠，準備轉為生產第三代半導體材料SiC元件，引起市場一片譁然，研判之下，國內供應鏈早已先後耕耘，未來市場卡位大戰勢必就將開跑。
【文／李冠嶔】
近日鴻海（2317）宣布買下旺宏（2337）6吋廠，預計將這座廠，從邏輯電路代工，轉為生產第三代半導體材料中的碳化矽（SiC）元件，這座基地將成為鴻海負責半導體業務的S事業群新竹總部。
大廠共同創新技術
早在6月30日，鴻海昔日的死對頭比亞迪公告將分拆旗下比亞迪半導體，在深圳交易所創業板掛牌上市。將以現有6吋矽基晶圓製造經驗，在寧波進行SiC功率器件晶圓製造產線建設，預計花7.3億元人民幣興建碳化矽晶圓生產線，月產能2萬片，與旺宏6吋廠規模相近。
而同時，8月11日意法半導體（STMicroelectronics）宣布，瑞典Norrkoping工廠製造出首批8吋SiC晶圓，由6吋升級到8吋，代表意法半導體對汽車和工業客戶的擴產計畫獲得階段性成功，且提升功率電子晶片輕量化和效能，並降低產品成本。相較於6吋晶圓，8吋晶圓更可以增加產能，將製造積體電路可用面積擴大近1倍，合格晶片產能則為6吋晶圓的1.8～1.9倍。
9月9日國際半導體產業協會（SEMI）與鴻海研究院共同舉辦「NExT Forum」活動，以「Compound Semiconductor in E-Vehicle」為題，同時邀請英飛凌、意法半導體、台積電（2330）、穩懋（3105）等大廠，共同剖析化合物、車用半導體的創新應用與技術發展。
中國將第三代半導體材料自主化，列為十四五規劃重大投資項目，氮化鎵（GaN）及SiC已成中國半導體新顯學。士蘭微電子、聚能晶源、聚能創芯、三安光電、海威華芯、華潤微電子等當地半導體業者，已全力展開GaN及SiC晶圓片或代工業務，下半年進入量產。
9月3日聯電（2303）與頎邦（6147）換股，由聯電子公司宏誠創投取得頎邦9.09%股權，躍居第1大股東。頎邦董事長吳非艱表示，與聯電換股合作鎖定AMOLED面板驅動IC和第三代半導體，頎邦已布局GaN和SiC等晶圓級晶片尺寸封裝（WLCSP）。聯電6吋晶圓廠布局第三代半導體，預期雙方合作效益會很快浮現。
里昂開啟研究之門
在2018年3月，里昂由侯明孝與日本分析師Claudio Aritomi，出了一本厚達128頁有關寬帶隙（Wide bandgap）報告，以「功率躍進」（POWER LEAP）為標題，預期此類產品未來將取代MOSFET、IGBT成為下一個10億美元產業，2025年可能占功率半導體市場2成以上，此報告認為台積電、世界（5347）與漢磊（3707）將成主要受益公司。
