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《類股》漢磊、嘉晶衝SiC,搶電動車商機

2020/01/14 07:58 時報資訊

【時報-台北電】碳化矽(SiC)製程二極體(Discrete)或金氧半場效電晶體(MOSFET)已開始被大量應用在電動車市場,由於具有提升續航力及縮短充電時間等多重優勢,預期2020年開始逐步取代矽基功率元件並進入成長爆發階段。漢磊投控 (3707) 旗下晶圓代工廠漢磊科、磊晶矽晶圓廠嘉晶 (3016) 已完成SiC上下游整合布局,受惠於IDM廠擴大委外及新興IC設計公司訂單到位,2020年接單放量有助於營運表現大幅優於去年。

 目前半導體所使用的材料仍以矽為主,其具有製程成熟度高、成本低等優點,然在需耐高電壓及高溫、高功率、高頻運作等應用場景,矽基半導體面臨極限,寬能隙(WBG)材料SiC則開始受到重視,主因其特性包括寬能隙、擊穿電場強度大、電子飽和移動速度快、熱傳導率快等,故在嚴苛環境下亦能穩定操作。

 DIGITIMES Research分析師林芬卉認為SiC功率元件於電動車應用極具潛力,除終端市場年增率高,SiC亦有助於系統小型化、減輕車身重量、提升續航力、縮短充電時間等多項好處,因此,於此應用將漸取代矽基功率元件。

 SiC功率元件較早導入的領域為太陽能及儲能中的逆變器,功率半導體業者看好SiC未來在電動車的應用,除電動車市場將呈兩位數成長外,SiC功率元件導入車載充電器(OBC)、逆變器、DC/DC轉換器等,有助於縮短充電時間、縮小系統及電池體積、減輕車身重量、增加續航力等,將漸取代矽基功率元件於車載端的應用。

 漢磊投控2019年加快在SiC市場布局,旗下晶圓代工廠漢磊科旗下三座晶圓廠都已通過車規認證,4吋廠量產600V∼1200V的SiC蕭特基二極體(SBD)及SiC MOSFET,6吋廠提供SiC晶圓代工服務,並爭取1700V高壓SiC SBD發展及SiC溝槽式(trench)MOSFET代工。至於同集團嘉晶已量產600V∼1200V的4吋及6吋SiC磊晶矽晶圓並已出貨給客戶。

 嘉晶2019年合併營收38.55億元,較2018年減少14.8%。漢磊投控2019年合併營收54.19億元,較2018年下滑15.8%。漢磊營運在2019年第四季回溫,配合客戶進行電動車的VDA 6.3評鑑和製程驗證可望在2020年上半年完成,而且隨著客戶訂單回流,SiC晶圓代工及矽晶圓等產能利用率逐步回升,看好化合物半導體2020年營收占比將較去年翻倍達二成水準。(新聞來源:工商時報─涂志豪/台北報導)

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