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華邦電25nm良率問題近期改善;估下半年供給吃緊

2020/02/10 09:00 Moneydj理財網

MoneyDJ新聞 2020-02-10 09:00:11 記者 萬惠雯 報導



記憶體廠商華邦電(2344)去年第四季因價格跌價因素及25nm(奈米)製程良率問題導致虧損,總經理東義(見圖)表示,25奈米的良率問題近期可獲得改善,第二季開始正常良率的產品就會慢慢釋出,而他也預估整體電子產業3月起即會回到正常秩序,原需求遞延,再加上傳統旺季,第三季記憶體市況回溫,有機會來到供需平衡或小幅供給吃緊。

在產品比重部分,去年第四季華邦電DRAM產品事業群(含利基型記憶體及行動記憶體產品線)佔去年全年營收35%Nor flash46%Nand flash9%Mobile10%

華邦電去DRAM製程分佈上,46奈米占比重62%65奈米占8%38奈米占24%25奈米占6%;在flash的製程分佈上,90奈米占比重22%58奈米占62%46奈米占16%

東義表示,華邦電去年在DRAM的表現不好,因為去年整體市況不好,導致25奈米及38奈米新產品向客戶導入會有困難,另外去年25奈米良率狀況不佳,惟問題預計三個月後就可解決,第二季開始正常良率的產品就會慢慢釋出,在5G以及IP CAMPONADASIOT等應用推動下,下半年整體DRAM將來到供需平衡或小幅供不應求。

flash產品線,去年出貨量是創高表現。Nand已開始回溫,且SLC Nand業務持續升,主要攻高速以及高品質的應用;45奈米的Nor也在開發當中,預估flash市場上半年會達供需平衡、下半年會供給吃緊。

在產能部分,今年由月產能52,000片提升到54,000片的擴充水準,其中DRAM/flash大概是各5成的水準。

資料來源-MoneyDJ理財網
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