英特爾High-NA EUV 將開啟晶片發展新紀元

張珈睿／台北報導

英特爾18日宣布，於俄勒岡州之研發中心，完成業界首台商用高數值孔徑極紫外光刻機（High-NA EUV）組裝工作。來自設備領導廠ASML，目前正進行校準步驟，為未來的英特爾先進製程路線做好準備。英特爾強調，High-NA EUV將大幅提升晶片製造精度和微影能力，開啟晶片發展新紀元。

擁有業界最先進、全面的光刻工具，英特爾表示，能夠於往後五年持續推進先進製程，超越Intel 18A、邁向新里程碑。延續摩爾定律，High-NA能較目前EUV微縮1.7倍、晶片密度提升2.9倍；並且提供更高的成像對比度，從而減少每次曝光所需的光量，縮短每一層的印製時間，提高晶圓產出。

英特爾規劃於2025年的Intel 18A產品驗證中，以及Intel 14A量產中，同時使用0.33 NA EUV和High-NA EUV，以達到最佳的製程技術平衡與成本效益。英特爾更透露，已計劃購置下一代系統，產能超過每小時200片晶圓。

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