聯電推業界首項RFSOI 3D IC解決方案

聯電(2303)今(2)日所推出業界首項RFSOI 3D IC解決方案,此55奈米RFSOI製程平台上所使用的矽堆疊技術,在不損耗射頻(RF)效能下,可將晶片尺寸縮小45%以上,聯電表示,該製程已獲得多項國際專利,準備投入量產。

聯電表示,該公司長期以來專注於特殊製程,並在製程技術上持續引領創新,今(2)日所推出業界首項RFSOI 3D IC解決方案,在5G時代於手機、物聯網和 AR/VR的應用上,為加速5G世代鋪路。此次出擊也再次展現聯電晶圓代工的製程彈性及多元化,利用差異化技術,在激烈的市場競爭中突圍而出。

聯電也表示,此次該公司推出業界首項RFSOI製程技術的3D IC解決方案,此55奈米RFSOI製程平台上所使用的矽堆疊技術,在不損耗射頻(RF)效能下,可將晶片尺寸縮小45%以上,使客戶能夠有效率地整合更多射頻元件,以滿足5G更大的頻寬需求。

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