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美政府宣布半導體廠補助最終規則：中國擴產、10年內不得超過5%
美國商務部 22 日公布針對台、日、韓等國半導體公司，提供政府補助的最終規則（final rule）。獲得聯邦資金在美國建設晶片廠的半導體公司，美國政府設定了 10 年期的中國擴產限制：先進製程產品的產能成長不得超過 5%，成熟製程則不得超過 10%。
這一規則將迫使全球企業在中國市場和美國市場之間做出選擇。企業違反規則將被要求返還補助金。這是商務部核撥超過 1000 億美元（包含近 400 億美元的補助、以及約 750 億美元的企業貸款）的聯邦資金，以促進晶片國產化、並延緩中國技術進步的最後一個行政障礙。
美國政府認為，與中國在半導體領域的技術競爭是國家安全的核心。美國商務部長吉娜・雷蒙多（Gina Raimondo）在聲明中表示：
這些限制措施將有助於確保獲得美國政府資金的公司不會損害我們的國家安全，因為我們繼續與盟友和夥伴合作，以加強全球供應鏈並增強我們的集體安全。
（These guardrails will help ensure that companies receiving U.S. government funding do not harm our national security, as we continue to coordinate with our allies and partners to strengthen global supply chains and enhance our collective security. ）
限制內容
根據最終規則，獲得聯邦資金的半導體公司若要在中國的擴產，將受到以下限制，
在先進產品，生產能力的定義包括晶圓製造和封裝。企業在中國的生產能力不可擴增超過 5% ，包括產線、無塵室和物理空間。換言之，實質限制半導體廠對中國的新投資。
成熟製程產品、被定義為，處理數據的邏輯晶片在 28 奈米以上，NAND 記憶體晶片的層數在 128 層以下。企業不得將在中國的生產能力擴增超過 10%。
如果違反這些限制措施，美國商務部可以收回全額聯邦財政補助。
半導體廠的反彈、與商務部的反饋
相關規則先前受到部分業界團體反對，認為限制過於嚴格，如美國資訊科技產業協會（Information Technology Industry Council），Intel、台積電、以及三星等公司都預定取得美國政府的建廠補貼，也都是該協會的成員。
根據彭博社報導，因應業者的反饋，商務部修正了最初版本。原本設定「對中國先進產能的投資上限」為 10 萬美元，能夠有效阻止獲得美國補助的半導體廠、在中國提升 28 奈米以上的任何晶片產能。但最後商務部認為，產能可能每個月發生變化，所以限制無塵室、和其他設施的擴建，會是更好的衡量指標。新聞稿指出，
這一門檻可以涵蓋小額的擴產，但允許接受補助的半導體廠，以正常的業務設備升級、及效率改進來維護其現有設施。
（The threshold is designed to capture even small transactions that expand manufacturing capacity, while allowing funding recipients to maintain their existing facilities through normal business equipment upgrades and efficiency improvements. ）
影響層面
日本經濟新聞報導補充，除了中國之外，俄羅斯、伊朗和北韓等國家也將受到這一規則的限制。獲得補助的企業，將不得與安全風險較高的中國企業、進行合作研究或技術轉移。
但是該規則也澄清，允許與中國及其他國外實體、進行一些不會影響國家安全的聯合研究、活動，例如國際標準和專利許可。
根據美國政府說法，已有約 400 家企業對這筆半導體政府補助表示興趣。並且呼籲與美國結盟的日本企業也多家利用這筆補助。
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