《科技》美光1-gamma製程DRAM試產

【時報-台北電】美光宣布先進製程1-gamma製程DRAM已試產,下世代NAND Flash快閃記憶體開發,也按計畫進行,目標2025年達成量產目標。

美光在其法說會中指出,該公司四分之三DRAM記憶體顆粒在1-alpha及1-beta節點生產,NAND Flash快閃記憶體則有90%產能,以176/232層製程生產。

美光率先業界完成單層結構的32GB晶片、128GB伺服器記憶體驗證,預計半年內記憶體模組可達數億美元營收目標。

在消費性存儲產品方面,美光表示,消費性固態硬碟產品QLC顆粒出貨量創新高,占整體出貨量三分之二,鞏固該公司在消費性QLC固態硬碟領導者地位。

在高頻寬記憶體(HBM)部分,美光開始生產HBM3E,用於輝達(NVIDIA)H200,12-Hi HBM3E(36GB)已送樣,並預期於2025年貢獻,目前2024年HBM產品已售罄。(新聞來源 : 工商時報一李娟萍/台北報導)