《科技》日半導體設備出口新制 不利陸先進製程布局

【時報記者林資傑台北報導】日本半導體設備出口管制制度23日正式實施，DIGITIMES研究中心觀察，此次管制範圍雖包括黃光、蝕刻、薄膜、熱處理、清洗、檢測等半導體重點製程，但以微影設備或涉及先進製程相關的薄膜沉積設備較可能執行管制，將不利中國大陸半導體先進製程布局。

中國大陸自美、日、荷進口半導體設備金額占比合計逾6成，美國對此聯手日本、荷蘭，將更有效牽制中國大陸半導體產業發展。據此，美國與日本、荷蘭在2023年1月底達成半導體設備出口管制協議，並促使日本祭出半導體設備出口管制政策。

日本於3月公告修訂「外匯及對外貿易法」，5月23日公告23項半導體設備出口管制措施，並自7月23日正式實施。DIGITIMES研究中心分析師賴琇菱表示，日本出口管制近半與薄膜製程設備有關，但該類設備牽涉製程廣泛。

賴琇菱認為，日本對於先進製程部分沉積設備、應用在40奈米以下製程的原子層沉積（ALD）設備、多重曝光（multi-patterning）所需的硬質光罩沉積設備等產品，將優先進行出口管控。

賴琇菱提及，在微影設備出口管制部分，浸潤式深紫外線（DUV）微影設備出口恐受影響。而日本無EUV微影設備，因此管制將鎖定極紫外光（EUV）光罩沉積設備、EUV製程塗布及顯影相關設備，以及檢測EUV設備的空白光罩或可曝光光罩的檢測設備等。

賴琇菱指出，日本這項措施不只在EUV的周邊配套設備上對中國大陸產生箝制力量，目前日本是中國大陸半導體設備的最大進口來源，占中國大陸的半導體設備進口金額達3成，這項管制措施被視為日本明確表態與美國、荷蘭站在同一陣營的表現。