《科技》打造護國群山 產創子法來了

【時報-台北電】行政院長陳建仁表示，政府不僅會當護國神山的靠山，也有打造護國群山的決心，目前鼓勵研發投資的產創條例第10條之2已經審議通過，相關施行細則子法將在8月推出，透過投資抵減的機制，擴大投資誘因，讓台灣在全世界的競爭中保持領先。

台積電28日舉行全球研發中心啟用典禮，總統蔡英文因確診COIVD-19，臨時取消和台積電創辦人張忠謀同台的活動，改由行政院長陳建仁代為出席。陳建仁致詞時指出，台積電2奈米全球研發中心落成，為台灣及全世界半導體產業締造新的里程碑，足以媲美世界聞名的貝爾實驗室。

陳建仁強調，半導體產業是一場講求研發與製造速度的競爭，台灣要持續保持領先，否則不進則退。政府會持續作護國神山的靠山，除提高跨部會的行政效能外，也透過制度獎勵、研發投資抵減、人才培育、水電穩定供應等方面提供最大的支持，期能擴大台灣半導體供應鏈的生態系。

他指出，為鼓勵產業購置先進設備及研發投資，產創條例第10條之2已在今年1月修正公布，相關子辦法也已達成共識，預計8月公告，盼能透過投資抵減機制，讓業者有更大投資誘因，使台灣在全世界的競爭中保持領先。

根據經濟部公告，產創第10條之2是扶植產業創新的租稅優惠，主要針對在國內進行技術創新，且居國際供應鏈關鍵地位的公司，在符合相關適用條件後，都可取得前瞻創新研發及先進製程設備的投資抵減優惠。

產創相關門檻訂定主要考慮業界實況，希望促使已接近適用門檻的業者能擴大研發，以便適用租稅優惠，兼顧國內產業發展現況與特性，而且相關產品出口管制，是依照現行貿易法的規定來進行，在產創條例裡面，不會有相關禁止輸出哪些國家的規定。

子法的重點分兩大部分，首先是以研發費用達60億元、研發密度達6％、購置用於先進製程設備支出達100億元為申請門檻。

第二、購置設備支出金額必須達100億元以上、且限於在境內投資，才能以支出金額5％來抵減當年度應納營利事業所得稅額，支出金額無上限。相對的，單項投資抵減的抵減上限為當年度應納營所稅30％，兩者合計抵減上限規定為當年度應納營所稅50％。

陳建仁強調，在變動的時代中，不變的就是創新，創新依舊是競爭力的基礎，這正是台積電全球研發中心完工啟用最重要的戰略意義，運用研發創新帶動先進製程的突破，且讓多數產能續留台灣，維持台灣在全球半導體領域中最關鍵的地位。(新聞來源 : 工商時報一曹悅華、呂雪彗／台北報導)