《科技》國研院發表12吋叢集式ALD

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【時報-台北電】國研院儀科中心與國內半導體設備供應商天虹科技,以「原子層沉積技術」(Atomic Layer Deposition,ALD)為關鍵技術,打造「12吋叢集式ALD設備」,突破高階半導體設備自製瓶頸,擺脫製程技術受國外設備商箝制困境,成功取得國際大廠多台設備正式訂單。 儀科中心指出,自2004年起深耕發展ALD技術,因應不同製程需求開發各式ALD設備與製程驗證技術,累積完整機台建置經驗,2015年與台積電及產學界共同推動成立「原子層沉積聯合實驗室」,提供半導體製造業ALD製程設備測試與開發驗證的服務平台,是國內唯一具備客製化ALD設備及製程能力之研究單位。 儀科中心亦發揮帶領國內ALD先進研究群聚效應,至2020年已客製開發20多台各式ALD設備,其應用領域涵蓋太陽能光電、半導體、觸媒和光學薄膜等領域。 天虹科技自2002年成立以來,專精於與半導體廠商合作開發關鍵半導體零組件,並可客製化地針對進口設備進行改裝及性能提升,是國內本土自製率達70%以上的半導體濺鍍設備供應商。 儀科中心與天虹科技於2018年起合作,整合雙方技術共同開發市場行情新台幣一億元的12吋量產型叢集式ALD設備,並於2019年完成設備開發及12吋氧化鋁薄膜製程驗證,10奈米厚度的氧化鋁薄膜均勻性(uniformity)大於99%。 相較市面量產型ALD設備,天虹科技機台擁有降低前驅物消耗量設計與相對高產出速度,並可依客戶端製程與產能需求加掛反應室,具備高度可擴充性;而氧化鋁薄膜製程也率先應用於Mini-LED及 Micro-LED上作為鈍化保護層。天虹科技執行長林俊成表示,所發展的製程,改善了LED發光效率與使用壽命,效果顯著並獲得驗證。(新聞來源:工商時報─記者彭(女韋)琳/台北報導)