搶進高階應用 巴斯夫推新絕緣閘雙極電晶體（IGBT） 半導體高性能PPA材料

德化工大廠巴斯夫宣布，針對新一代的電力電子設備，開發出一種高溫尼龍（PPA），這種材料尤其適合製造IGBT的半導體外殼。Ultramid® Advanced N3U41 G6能滿足電動車、高速列車、智慧製造和可再生能源等領域對於高性能、可靠電子元件日益成長的需求。此商品已獲Semikron Danfoss採用，作為其太陽能和風能系統逆變器中的Semitrans 10 IGBT 外殼材料。

巴斯夫表示，Ultramid® Advanced N系列具備出色的耐化學性和尺寸穩定性，可提高IGBT的堅固性、長期性能及可靠性，滿足越來越多對於節能、更高功率密度及高效率需求。IGBT能夠實現電力電子設備中電路的高效切換與控制。

Semikron Danfoss公司研究與前期開發部Jörn Grossmann 指出，IGBT是現代電子設備的關鍵元件，尤其在可再生能源領域。IGBT必須在更高的溫度條件下工作，且同時要保持長期穩定性及高性能。受惠巴斯夫PPA材料的獨特性能Semitrans 10為性能與效率立下新標竿。

巴斯夫強調，如今，廣泛應用在IGBT中的是巴斯夫一款成熟產品Ultradur® （PBT： 聚對苯二甲酸丁二醇酯）。在快速發展的電力電子設備中，新推出的PPA可滿足新一代IGBT的各種嚴苛要求。例如，材料能夠承受更高的溫度，持續保持電氣絕緣性能，以及在潮濕、灰塵和污垢等具有挑戰性的環境條件下保持尺寸穩定性。採用無鹵阻燃劑的雷射敏感Ultramid® Advanced N3U41G6具備強大的熱穩定性、低吸水性以及出色的電氣性能。

其特點在於高達600的CTI值 （CTI： 相對漏電起痕指數，依據IEC 60112 標準），與目前用於電源開關的材料相比，這種材料漏電更少、絕緣性能更佳，更有助於IGBT微型化。UL認證系列產品具有高達150°C的電氣RTI值（RTI： 相對溫度指數）。

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