意法半導體第四代SiC MOSFET技術問世,2025年750V、1200V實現量產

【財訊快報/記者張家瑋報導】全球碳化矽前五大廠意法半導體(ST)宣布專為電動車逆變器量身打造的第四代碳化矽(SiC)功率技術正式問世,2025年750V與 1200V等級產品將開始量產,其中750V已完成產前認證,1200V也預計於2025年第一季完成認證,產品將隨後上市銷售,將碳化矽更小、更高效的優勢從高端電動汽車擴展到中階及入門車款。另外,2027年將進一步推出多項碳化矽技術創新,包括一項突破性創新。第四代技術有望在能效、功率密度和穩健性三個方面成為新的市場標杆,在滿足汽車和工業市場需求的同時,還針對電動汽車電驅系統的關鍵部件逆變器特別優化了第四代技術。碳化矽MOSFET 產品750V和1200V兩個電壓等級,能夠分別提高400V 和800V電動汽車平臺電驅逆變器的能效和性能。除了電動車之外,新一代碳化矽技術還適用於各種大功率工業設備,包括太陽能逆變器、儲能解決方案和資料中心等日益增長的應用。

意法表示,與矽基解決方案相比,第四代碳化矽MOSFET解決方案的能效更高,尺寸更小,重量更輕,續航更長。一線電動汽車廠商正與意法達成合作,將第四代碳化矽技術導入新車型,以提高性能和能源效率。雖然主要應用是電動車電驅逆變器,但第四代碳化矽MOSFET也同樣適用於大功率工業電機驅動器,因為新一代產品改進了開關性能和穩健性,讓電機控制器變得更高效、更可靠,可降低工業環境中的能耗和運營成本。

此外,在再生能源應用中,第四代碳化矽MOSFET可以提高太陽能逆變器和儲能系統的能效,有助於實現可持續化和成本效益更高的能源解決方案。此外,新一代碳化矽MOSFET高能效和尺寸縮小的技術特性對於解決巨大的功率需求和熱管理挑戰至關重要,適用於AI伺服器資料中心的電源。