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富士電機傳量產EV用SiC功率半導體、拼2成市佔
MoneyDJ新聞 2022-06-24 12:27:45 記者 蔡承啟 報導
搶攻電動車(EV)商機，日本富士電機(Fuji Electric)傳將量產EV用碳化矽(SiC)功率半導體、目標奪下全球2成市佔。
日本媒體Newswitch 23日報導，富士電機將在2022年度內(2023年3月底前)利用松本工廠開始量產EV用SiC功率半導體。富士電機的SiC功率半導體已供應給鐵道車輛使用，供應給EV使用為史上首次。
報導指出，車用SiC市場預估將自2024年起呈現急速擴大，富士電機計劃在2024年度以後將供應對象擴增至3家、車種擴增至3-4款，且為了因應需求增加，計劃在日本青森縣的工廠新設SiC功率半導體產線、並將在2024年度開始進行量產。
富士電機目標在2025年度將SiC功率半導體佔半導體事業營收比重提高至10%左右、目標在2025-2026年期間將全球SiC市佔率提高至2成。
SiC功率半導體使用於EV逆變器上的話，耗電力可縮減5-8%、可提升續航距離，目前特斯拉(Tesla)和中國車廠已開始在部分車款上使用SiC功率半導體。
美國諮詢公司AlixPartners 6月22日在其年度汽車業界展望簡報上表示，因大多主要市場需求加速擴大，因此預估2028年之前EV佔全球新車銷售量比重將達33%、2035年之前將進一步擴大至54%。
日刊工業新聞6月9日報導，日本半導體IDM大廠羅姆(Rohm)社長松本功表示，目標在2025年度之前將SiC功率半導體營收提高至1,000億日圓以上水準，將投資約1,500億日圓、把SiC功率半導體產能擴增至2021年度的約6倍水準。
松本功表示，「目標在2025年之前、奪下SiC功率半導體全球市佔龍頭位置」。
日廠搶攻EV用SiC功率半導體
日媒去年12月3日報導，因看好來自EV的需求將擴大，也讓東芝(Toshiba)等日本廠商開始相繼增產節能性能提升的EV用次世代半導體。各家日廠增產的對象為用來供應\控制電力的「功率半導體」產品，不過使用的材料不是現行主流的矽(Si)、而是採用了SiC。
報導指出，因看好來自EV的需求有望呈現急速擴大，東芝半導體事業子公司「東芝電子元件及儲存裝置(Toshiba Electronic Devices & Storage)」計劃在2023年度將旗下姬路半導體工廠的SiC功率半導體產量擴增至2020年度的3倍、之後計劃在2025年度進一步擴增至10倍，目標最遲在2030年度取得全球1成以上市佔率。
SiC功率半導體需求衝、2030年估跳增2.8倍
日本研調機構富士經濟(Fuji Keizai)去年6月10日公布調查報告指出，自2021年以後，在汽車/電子設備需求加持下，預估碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等次世代功率半導體市場將以每年近20%的速度呈現增長，2030年市場規模預估為2,490億日圓、將較2020年跳增3.8倍(成長約380%)。
其中，因汽車/電子設備需求加持，來自中國、北美、歐洲的需求揚升，預估2030年SiC功率半導體市場規模將擴大至1,859億日圓、將較2020年跳增2.8倍；GaN功率半導體市場規模預估將擴大至166億日圓、將較2020年飆增6.5倍；氧化鎵功率半導體市場規模預估為465億日圓。
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資料來源-MoneyDJ理財網
