《半導體》半導體產能吃緊 茂矽看旺到H2

【時報-台北電】6吋晶圓代工廠茂矽(2342)卡位車用功率元件及絕緣閘雙極電晶體(IGBT)晶圓代工市場有成,與策略夥伴上下游攜手密切布局與合作車用功率元件,過去兩年車規產品的產出比重已順利突破10%,家電及工規IGBT經過第二階段的技術提升與營運調整,去年第四季訂單與出貨已步入正軌。由於半導體產能供不應求,法人看好茂矽營運看旺到下半年,本業獲利能力將顯著提升。

茂矽第一季合併營收4.11億元,歸屬母公司稅後淨利0.44億元,每股淨利0.28元。有關業外金融資產評價部分,茂矽今年1月22日完成處分作業,惟此評價淨利益於去年度財報中公允表達,不再影響損益。而茂矽4月合併營收1.39億元,累計前四月合併營收5.50億元,較去年同期減少1.8%。

茂矽董事長唐亦仙在營業報告書中指出,茂矽與策略夥伴上下游攜手密切布局與合作車用功率元件市場,過去兩年車規產品的產出比重已順利突破10%,除原有車用二極體繼續擴大量產規模外,車用功率場效應電晶體(Power MOSFET)新產品已順利於去年中完成產品認證,並在去年第四季順利開始小量試產。

在IGBT產品方面,茂矽經過第二階段的技術提升與營運調整,去年第四季訂單與出貨已步入正軌,由於IGBT在工業用與車用市場需求與日俱增,茂矽去年已完成8吋及6吋共用的FS-IGBT晶片背面製程無塵室建置,陸續添購生產設備在今年2月全數到位,預計第二季開始送樣,第三季完成戶初步認證,目標在第四季開始小量生產。茂矽除持續鎖定家電與工規IGBT市場,並將配合客戶需求伺機切入車規應用。

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茂矽長期深耕於功率分離式元件相關之電源管理產品,除既有MOSFET及蕭特基二極體(Schottky Diode)製程,近年更積極布局分離閘型態(Shield-gate)的功率半導體元件、快速恢復二極體、超低電容瞬間電壓抑制陣列(Ultra Low Capacitance TVS)。

唐亦仙指出,為分散產品及市場集中度考量,茂矽不僅持續投入製程優化,專注開發毛利及成長率較高的車用及工業控制相關產品,亦積極拓展客製化車用二極體、車用功率場效應電晶體及IGBT量產製程技術與產品,並規劃開發次世代寬能隙(WBG)功率產品技術平台。(新聞來源:工商時報─記者涂志豪/台北報導)