《半導體》加速10奈米、DDR5進展 南亞科H2拚逐季好轉

【時報記者葉時安台北報導】南亞科(2408)周三舉行股東會，南亞科第二世代10奈米製程技術(1B)16Gb DDR5及8Gb DDR4預期下半年推出，另外16Gb DDR5微縮版、16Gb LPDDR4、16Gb LPDDR5將陸續試產，預期可貢獻AI、手機相關應用。10奈米第三世代(1C)技術產品16Gb DDR5也預計明年進入試產；同步開發矽穿孔(TSV)製程技術及高容量DRAM模組，供應伺服器市需求。南亞科表示，今年第二季財務績效將受地震影響，下半年有機會逐季改善。

南亞科表示，DRAM市場因全球經濟景氣循環、地緣政治、中美貿易衝突等影響，短期間成長受阻，但DRAM是人類進入智慧世代，使所有電子產品智慧化的關鍵零組件，隨著5G及AI的發展，將持續帶動DRAM的成長。DRAM在電子產品的應用廣泛，伺服器、數據中心、個人電腦、智慧型手機及消費型電子產品是目前最大應用區塊。

在伺服器方面，受惠於雲端服務業者正大量投資AI伺服器，其他企業客戶端增加通用型伺服器採購，整體伺服器出貨可望顯著成長，同步帶動較高毛利的HBM與高容量DDR5模組的出貨成長，預期伺服器今年市場持續改善。

在手機方面，112年下半年新機上市，增強大陸地區及新興市場需求復甦的動能，今年第一季銷售已見復甦且高階機種比重增加。此外，由於手機導入AI功能，DRAM搭載量持續增加。因此整體手機出貨台數及DRAM搭載量都將比去年成長。

在PC方面，出貨台數在經過二年的衰退後，庫存已回到正常，今年可望受惠於軟硬體的升級，帶動換機熱潮而恢復成長；此外，AI PC推出DRAM預期搭載量將同步增長。

其他消費性電子產品如電視、機上盒等，因運動賽事(巴黎奧運、歐洲足球)加持而成長。網通受惠於WiFi 7問世，增強成長動能。而工控及車用需求相對健康。整體消費性電子產品預期回到成長軌道。

綜合上述，預期今年DRAM出貨到伺服器、手機與筆電等終端應用市場區塊都將呈現成長。在供給端，預期三大供應商將逐步恢復產能利用率，投資設備去除HBM的生產瓶頸，以及增加HBM與DDR5等高毛利產品的占比，常規產品產出增加可能有限。因此，今年由於終端需求的成長及產品組合的改善，整體市場的平均銷售價格有機會呈現逐步上漲趨勢；惟市場需求復甦力道仍持續受到地緣政治及地域性經濟影響。

南亞科113年營運計畫，113年度除推展現有各產品線業務外，將優化現有產品組合，增加低功率產品占比，以改善平均銷售單價。

在新產品方面，南亞科今年的重點是陸續推出以1B製程量產的3顆新產品，擴大產品線以貢獻營收，並規畫在下半年轉進更多1B製程技術，逐漸置換部份20奈米產能。此外，為厚植公司長期競爭力，今年度計畫完成1C製程的第一顆產品設計，於現有廠內投入試產。新廠營建亦將如期進行，115年起視市場需求導入製程設備。

南亞科技術發展中，目前10奈米第二世代(1B)製程技術除了3顆產品正在試產中，另外在設計開發中有4顆產品，包括16Gb DDR5的微縮版、16Gb LPDDR4、16Gb LPDDR5以及4Gb DDR3，也將逐步進入試產。

南亞科今年將同步開發矽穿孔(TSV)製程技術，未來結合DDR5微縮版與TSV製程做成高容量DAM模組，以供應伺服器市場需求。而使用10奈米第三世代(1C)製程技術第一顆產品(16Gb DDR5)預計年底完成設計，明年初進入試產。

南亞科資本支出，113年度為因應現有廠內部分產能轉進1B製程技術、一般部門資本支出，以及新廠營建類支出等，預計上限為新台幣260億元；其中生產類設備預算將略低於五成。