世界先進獲經部1.5億元補助，擬發展全球首例化合物半導體相關製程技術

【財訊快報／記者許麗珍報導】經濟部通過世界先進(5347)「高功率暨高效能GaN on QST元件與製程技術開發計畫」等4項A+企業創新研發淬鍊計畫，經濟部表示，世界先進計畫獲得新台幣1.5億元補助，世界先進擬發展全球首例化合物半導體氮化鎵磊晶於八吋QST基板(GaN-on-QST)，以及1200V高效能氮化鎵功率元件製程技術，主要用於車用及工業應用市場。經濟部近日召開A+企業創新研發淬鍊計畫113年度第1次決審會議，會中通過4項計畫，分別為世界先進積體電路「高功率暨高效能GaN on QST元件與製程技術開發計畫」、康淳科技「高離子通量低碳排創新海淡系統之關鍵材料技術開發計畫」、福記冷凍食品「蛋原料品質暨儲運數位協作開發計畫」以及台捷合作安宏生醫「針對雄激素受體：開發前列線癌治療的前導化合物，並推進NMR-AI平台以增強藥物設計能力」計畫。

經濟部產業技術司表示，世界先進提出的計畫，充分利用GaN-on-QST八吋基板熱匹配特性，預期提升元件耐壓至1200V以上，開發後將可提供更優越的電動車車載充電器、充電樁等高壓高功率系統的元件選擇，結合效能和成本優勢。

根據研究機構Yole預估，2028年GaN整體市場需求將超過20億美元。技術司表示，計畫於2024年啟動，預計3年內完成開發進入量產，同時整合國內上下游產業，建立完整自主生態供應鏈，預估衍生投資所帶來效益，可帶動上下游產業整體潛在就業機會，並以每年超過10%的比例持續成長。

技術司表示，該計畫布局將可強化台灣於化合物半導體領域的自主開發實力，極大化氮化鎵於電動車、數據中心電源系統、再生能源儲能系統等市場的市佔率，進而在全球競爭中獲得戰略優勢。

另外，其餘3件計畫，康淳科技獲補助4580萬元；福記冷凍食品獲補助2544萬元，安宏生醫計畫獲補助900萬元。