三星高頻寬記憶晶片HBM3通過輝達認證，縮小與SK海力士差距

【財訊快報／劉敏夫】外電報導指出，在開發人工智能(AI)市場非常關鍵的記憶晶片道路上遭遇過一系列挫折的三星電子，開始縮小與競爭對手SK海力士的差距。熟知內情的消息人士透露，三星電子在急起直追的道路上取得了重要進展，包括其高頻寬記憶晶片HBM3通過AI巨頭輝達的認證。同時，下一代產品HBM3E預計也將在兩到四個月內通過認證。

在此之前，三星電子經歷了數月的不順，包括開發上的失誤使規模較小的競爭對手SK海力士一躍成為該領域的領跑者。對於三星電子這家韓國最大企業而言，採取這樣的追趕策略不同尋常。從歷史上看，三星電子憑藉其規模和工程專長，在記憶晶片市場一直處於領先地位。由於在HBM領域遭遇挫折，該公司在5月份極其罕見的更換了半導體部門的負責人。

Tirias Research分析師Jim McGregor表示，從未見過三星電子處於這種境地。整個行業和輝達比任何人都更需要三星電子，但他們需要三星電子全力以赴。

三星電子不願就具體合作夥伴置評，但表示整體而言，公司正與客戶密切合作，測試工作進展順利。

三星電子的最新進展可能會協助該公司抓住AI產品蓬勃發展帶來的需求。摩根士丹利預計到2027年，HBM市場的規模將從去年的40億美元急速成長至710億美元。三星電子越快獲得AI加速器先驅者輝達的青睞，就越能從市場成長中獲益。