《半導體》聯電先進22奈米技術就緒，特殊製程無縫接軌

【時報記者沈培華台北報導】聯電 (2303) 繼全球最小的USB 2.0測試載具通過矽驗證後，宣布更先進的22奈米技術就緒；最新的特殊製程提供具競爭性的效能和從28奈米到22奈米的無縫接軌。

聯電今日(2日)表示，在使用USB 2.0測試載具首次並成功通過矽驗證之後，更先進的22奈米製程技術就緒。相較於一般的USB 2.0 PHY IP，用於驗證的USB測試載具所使用面積為全球最小，實際展現聯電的22奈米製程成熟度。新的晶片設計可使用22奈米設計準則或遵循28奈米到22奈米的轉換流程(Porting Methodology)，無需更改現有的28奈米設計架構，因此客戶可放心地使用新的晶片設計或直接從28奈米移轉到更先進的22奈米製程。

聯電矽智財研發暨設計支援處處長陳元輝表示，聯電持續推出新的特殊製程技術，用以服務於5G、物聯網和車用的快速增長晶片市場。為客戶推出極具競爭力的22奈米製程技術，主要提升性能、面積和易於設計的先進技術。

聯電的22奈米製程與原本的28奈米高介電係數/金屬柵極製程相比，優勢在縮減10%的晶粒面積、擁有更佳的功率效能比，以及強化射頻性能等特點。另外也提供與28奈米製程技術相容的設計規則和相同的光罩數的22奈米超低功耗（22uLP）版本，以及22奈米超低洩漏（22uLL）版本。22奈米製程平台擁有基礎元件IP支援，為市場上各種半導體應用，包括消費性電子的機上盒、數位電視、監視器、電源或漏電敏感的物聯網晶片（附帶藍牙或WiFi）和需要較長電池壽命之可穿戴式產品。