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創意強攻AI 將推7奈米高頻寬記憶體
2017/06/19 18:25 中央社

(中央社記者張建中新竹2017年6月19日電)創意 (3443) 宣布,第2代高頻寬記憶體(HBM2)實體層與控制器已為台積電16奈米製程裝置供貨,不久並將推出台積電 7奈米的HBM2實體層與控制器IP,搶攻人工智慧市場。

創意指出,HBM2是使用在系統單晶片(SoC)設計上的下一代記憶體協定,16奈米HBM2是創意首度將HBM實體層與控制器矽智財(IP)整合到SoC,透過自行設計的中介層來存取堆疊記憶體晶粒,並以台積電2.5D封裝技術CoWoS封裝。

創意表示,HBM2將可滿足人工智慧(AI)、深度學習與各種高效能運算應用成長需求。

目前HBM2已為台積電16奈米製程技術裝置供貨,創意指出,不久將進一步推出台積電 7奈米製程的HBM2實體層與控制器IP;為加速全系統發展流程,創意也將提供包括資料表等完整設計套件。

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