華邦電砸203億元 Q4興建南科新12吋晶圓廠

(中央社記者鍾榮峰台北2018年8月17日電)記憶體製造廠華邦電子 (2344) 董事會今天通過南科高雄園區12吋晶圓廠興建計劃及購買設備,預計第4季開始動土興建,投資金額約新台幣203.672億元。

華邦電今天晚間公告,董事會通過12吋晶圓廠興建計劃及購買設備,核准資本支出用以興建南科高雄園區12吋晶圓廠及購置研發設備。

華邦電指出,晶圓廠預定今年第4季開始動土興建,建廠階段投資金額約195.6億元,購置研發設備投資金額約8.072億元,預計投資金額共203.672億元。

從資金來源和產能規劃來看,華邦電指出,資金來源為自有資金及銀行融資,投資基於長期發展及營運所需,初期規劃月產能2萬8500片。

受惠動態隨機存取記憶體(DRAM)與快閃記憶體(Flash)銷售同步成長,華邦電第2季營運歸屬母公司淨利21.55億元,季增37%,創逾17年來新高,每股純益0.54元。

華邦電看好下半年快閃記憶體與行動記憶體需求可望同步升溫,因應需求成長,除台中廠明年初月產能將擴增至5.4萬片規模,高雄新廠也將依規劃預計於2020年完工試產。(編輯:張良知)