Rohm傳12月量產SiC功率半導體、EV續航增1成

MoneyDJ新聞 2022-11-28 10:13:50 記者 蔡承啟 報導

日本半導體IDM大廠羅姆(Rohm)傳出將在12月開始量產碳化矽(SiC)功率半導體,有望將電動車(EV)續航距離提高1成,目標是奪下全球3成市佔率。

日經新聞、共同通信25日報導,Rohm將在12月下旬開始正式量產次世代功率半導體產品,其使用的材料不是現行的矽(Si)、而是使用SiC,將能提升EV的續航距離。

據報導,Rohm已在今年春天在位於日本福岡縣筑後市的主力工廠內完成專用廠房的興建、當前並完成設備的搬入作業,將在12月正式進行量產,且Rohm將在2025年度結束前對SiC功率半導體最高投資2,200億日圓、搶攻全球3成市佔率,目標在2025年度將SiC相關事業營收提高至1,100億日圓、將達2021年度的7倍水準。

據報導,功率半導體使用於EV逆變器等用途,用於把從電池流向馬達的電力從直流電轉換成交流電,而在進行轉換時、會發生電力耗損,不過和矽製產品相比、SiC的耗損更小,以Rohm的產品為例、可將EV續航距離提高1成。

根據Yahoo Finance的報價顯示,截至台北時間28日上午10點08分為止,Rohm小漲0.09%至11,150日圓、表現優於東證股價指數(TOPIX)的下跌0.92%。

日刊工業新聞6月9日報導,Rohm社長松本功表示,將投資約1,500億日圓、把SiC功率半導體產能擴增至2021年度的約6倍水準。松本功表示,「目標在2025年之前、奪下SiC功率半導體全球市佔龍頭位置」。

據報導,在2022-2025年度期間、Rohm的SiC功率半導體累計訂單將達約8,400億日圓,今後Rohm將持續進行設備投資、計畫在2030年度將產能擴增至2021年度的25倍水準。

SiC功率半導體需求旺、2030年估跳增11.8倍

日本市調機構富士經濟(Fuji Keizai)5月23日公布調查報告指出,因汽車/電子設備需求擴大,2022年全球功率半導體市場規模(包含矽製產品和碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鎵等次世代功率半導體)預估將年增11.8%至2兆3,386億日圓,且之後市場規模將持續擴大,預估2030年將擴增至5兆3,587億日圓、將較2021年增加1.6倍(增加約160%)。

其中,2022年矽製功率半導體市場規模預估將年增10.0%至2兆2,137億日圓,2030年預估將擴大至4兆3,118億日圓、將較2021年增加1.1倍;2022年SiC等次世代功率半導體市場規模預估將年增58.7%至1,249億日圓,之後市場規模將呈現急速擴大,預估2030年將達1兆469億日圓、突破兆圓大關、將較2021年暴增12.3倍。

就次世代功率半導體的細項來看,2022年SiC功率半導體市場規模(包含SiC-SBD、SiC-FET、SiC功率模組)預估將年增59.5%至1,206億日圓,2030年預估將擴大至9,694億日圓、將較2021年暴增11.8倍;2022年GaN功率半導體市場規模預估將年增21.9%至39億日圓,2030年預估將擴大至305億日圓、將較2021年暴增8.5倍;2022年氧化鎵功率半導體市場規模預估為3億日圓、2030年有望擴大至470億日圓。

(圖片來源:Rohm官網)

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