imec展示最新High-NA EUV技術

涂志豪／台北報導
·2 分鐘 (閱讀時間)

比利時微電子研究中心（imec）於國際光學工程學會（SPIE）舉行的先進微影成形技術會議上，展示其High-NA（高數值孔徑）微影技術的重大進展，包含顯影與蝕刻製程開發、新興光阻劑與塗底材料測試、以及量測與光罩技術優化。imec與台積電、英特爾等國際大廠有密切合作，業界預期先進製程在2025年之後將進入埃米（angstorm）時代，High-NA技術將是量產關鍵。

High-NA微影技術將是延續摩爾定律的關鍵，推動2奈米以下的電晶體微縮。imec致力於打造High-NA微影生態系統，持續籌備與極紫外光（EUV）微影設備製造商艾司摩爾（ASML）共同成立High-NA實驗室。該實驗室將會聚焦全球首台0.55 High-NA EUV微影設備的原型機開發。

imec執行長Luc Van den hove表示，imec與ASML合作開發High-NA技術，ASML現在正在發展首台0.55 High-NA EUV微影掃描設備EXE:5000系統的原型機。與現有的EUV系統相比，High-NA EUV微影設備預計將能在減少曝光顯影次數的情況下，實現2奈米以下邏輯晶片的關鍵特徵圖案化。

為了建立首台High-NA EUV原型系統，imec持續提升當前0.33 NA EUV微影技術的投影解析度，藉此預測光阻層塗佈薄化後的成像表現，以實現微縮化線寬、導線間距與接點的精密圖案轉移。同時，imec攜手材料供應商一同展示新興光阻劑與塗底材料的測試結果，在High-NA製程中成功達到優異的成像品質。同時也提出新製程專用的顯影與蝕刻解決方案，以減少微影圖案的缺陷與隨機損壞。

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針對22奈米導線間距或線寬的微影應用，imec已經模擬了EUV光罩缺陷所帶來的影響，包含多層光罩結構的側壁波紋缺陷，以及光吸收層的線邊緣粗糙現象。imec先進微影技術研究計畫主持人Kurt Ronse表示，這些研究成果讓業界了解High-NA EUV微影製程所需的光罩規格。

此外，透過與ASML和材料供應商合作，imec針對負責定義圖案結構的光罩吸收層開發了新興的材料與架構。

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