AI資料中心成兵家必爭之地，安森美、羅姆相繼推出專用MOSFET

財訊快報

【財訊快報／記者張家瑋報導】AI資料中心成MOSFET兵家必爭之地，全球碳化矽（SiC）前五大廠安森美（Onsemi）與羅姆（Rohn）不約而同宣布推出，針對AI資料中心電源推出MOSFET功率模組，安森美推出第一代1200V 碳化矽MOSFET功率模組 ，而羅姆亦針對企業級高性能伺服器和AI伺服器電源，推出AC-DC轉換電路二次側電源MOSFET。安森美表示，隨著資料中心的數量和規模不斷增長，對EC風扇的需求預計也會上升，第一代1200V碳化矽MOSFET功率模組，可提供最高的能源效率和功率密度，改進熱性能、降低功率損耗及支援快速開關速度的能力，適合三相逆變器驅動應用，例如：AI資料中心散熱風扇、熱泵、商用HVAC系統、伺服馬達、機器人、變頻驅動器(VFD)以及工業泵浦和風扇。

羅姆看好高階計算能力之AI處理伺服器需求成長趨勢，推出高性能AI伺服器電源的全新MOSFET，新產品共計3款，適用於企業級高性能伺服器12V系統電源的AC-DC轉換電路二次側和熱插拔控制器電路，及AI伺服器48V系統電源的AC-DC轉換電路二次側。新產品已暫以100萬個/月的規模投入量產，前段製程的生產據點在日本滋賀工廠，後段製程的生產據點在泰國OSAT。

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